[發明專利]芯片晶圓、芯片封裝結構及封裝方法

在審

• 申請號: 202011125655.3
• 申請日: 2020-10-20
• 公開（公告）號: CN112185827A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 程彥敏;殷昌榮
• 申請（專利權）人: 上海艾為電子技術股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 姚璐華

本發明公開了一種芯片晶圓、芯片封裝結構及封裝方法，所述封裝方法包括：提供一半導體晶圓，所述半導體晶圓包括多個芯片基底，相鄰所述芯片基底之間具有劃片道；所述芯片基底具有相對的第一側和第二側；在所述第一側的有源層上形成第一互聯結構；形成第一塑封層，所述第一塑封層覆蓋所述第一邊緣區、所述第一互聯結構以及所述有源層；形成第二互聯結構，所述第二互聯結構覆蓋中間區域，露出第二邊緣區；形成第二塑封層，所述第二塑封層覆蓋所述第二互聯結構、所述第二邊緣區以及所述第一塑封層；基于所述劃片道進行分割，形成多個單粒的芯片封裝結構。應用本發明提供的技術方案，避免了切割導致的翹曲和隱裂問題，從而提升產品封裝的可靠性。

技術領域

本發明涉及芯片封裝技術領域，尤其是涉及一種芯片晶圓、芯片封裝結構及封裝方法。

背景技術

隨著科學技術的不斷發展，各種各樣的電子設備被廣泛的應用于人們的日常生活以及工作當中，為人們的日常生活以及工作帶來了巨大的便利，成為當今人們不可或缺的重要工具。

電子設備實現各種功能的核心部件是控制芯片，為了保證芯片安全可靠運行以及避免其受到損傷，芯片需要封裝保護形成封裝結構。現有的芯片封裝結構中，容易出現金屬層翹曲和隱裂問題，導致封裝結構的可靠性低。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種芯片晶圓、芯片封裝結構及封裝方法，避免了切割導致的金屬層翹曲和隱裂問題，提升產品封裝的可靠性。

為了實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種芯片封裝方法，所述封裝方法包括：

提供一半導體晶圓，所述半導體晶圓包括多個芯片基底，相鄰所述芯片基底之間具有劃片道；所述芯片基底具有相對的第一側和第二側；所述第一側具有功能區以及包圍所述功能區的第一邊緣區；所述第二側包括中間區域和包圍所述中間區域的第二邊緣區；

在所述第一側的有源層上形成第一互聯結構；所述有源層覆蓋所述功能區，露出所述第一邊緣區；

形成第一塑封層，所述第一塑封層覆蓋所述第一邊緣區、所述第一互聯結構以及所述有源層；在所述半導體晶圓具有所述有源層的一側表面，所述劃片道具有預設深度的溝槽；所述第一塑封層填充所述溝槽；

對所述半導體晶圓背離所述有源層的一側進行減薄，露出所述溝槽底部的第一塑封層；

在減薄后的所述第二側形成第二互聯結構，所述第二互聯結構覆蓋所述中間區域，露出所述第二邊緣區；

形成第二塑封層，所述第二塑封層覆蓋所述第二互聯結構、所述第二邊緣區以及所述第二側露出的所述第一塑封層；

基于所述劃片道進行分割，形成多個單粒的芯片封裝結構。

優選的，在上述的封裝方法中，所述第一互聯結構的形成方法包括：

形成覆蓋所述有源層的第一金屬層；

在所述第一金屬層上形成錫球。

優選的，在上述的封裝方法中，在形成所述第一塑封層之前，在所述劃片道形成設定深度的所述溝槽；

其中，所述溝槽的深度小于所述半導體晶圓的厚度。

優選的，在上述的封裝方法中，所述第二互聯結構的形成方法包括：

在減薄后的所述第二側形成圖形化的種子層，所述種子層覆蓋所述中間區域，露出所述第二邊緣區和所述第一塑封層；

形成圖形化的背面金屬層，所述背面金屬層覆蓋所述種子層，露出所述第二邊緣區和所述第一塑封層。

優選的，在上述的封裝方法中，所述種子層和所述背面金屬層的形成方法包括：