[發明專利]芯片晶圓、芯片封裝結構及封裝方法

在審

• 申請號: 202011125655.3
• 申請日: 2020-10-20
• 公開（公告）號: CN112185827A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 程彥敏;殷昌榮
• 申請（專利權）人: 上海艾為電子技術股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 姚璐華

1.一種芯片封裝方法，其特征在于，所述封裝方法包括：

提供一半導體晶圓，所述半導體晶圓包括多個芯片基底，相鄰所述芯片之間具有劃片道；所述芯片基底具有相對的第一側和第二側；所述第一側具有功能區以及包圍所述功能區的第一邊緣區；所述第二側包括中間區域和包圍所述中間區域的第二邊緣區；

在所述第一側的有源層上形成第一互聯結構；所述有源層覆蓋所述功能區，露出所述第一邊緣區；

形成第一塑封層，所述第一塑封層覆蓋所述第一邊緣區、所述第一互聯結構以及所述有源層；在所述半導體晶圓具有所述有源層的一側表面，所述劃片道具有預設深度的溝槽；所述第一塑封層填充所述溝槽；

對所述半導體晶圓背離所述有源層的一側進行減薄，露出所述溝槽底部的第一塑封層；

在減薄后的所述第二側形成第二互聯結構，所述第二互聯結構覆蓋所述中間區域，露出所述第二邊緣區；

在第二側形成第二塑封層，所述第二塑封層覆蓋所述第二互聯結構、所述第二邊緣區以及所述第二側露出的所述第一塑封層；

基于所述劃片道進行分割，形成多個單粒的芯片封裝結構。

2.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述第一互聯結構的形成方法包括：

形成覆蓋所述有源層的第一金屬層；

在所述第一金屬層上形成錫球。

3.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，在形成所述第一塑封層之前，在所述劃片道形成設定深度的所述溝槽；其中，所述溝槽的深度小于所述半導體晶圓的厚度。

4.根據權利要求3所述的封裝方法，其特征在于，所述第二互聯結構的形成方法包括：

在減薄后的所述第二側形成圖形化的種子層，所述種子層覆蓋所述中間區域，露出所述第二邊緣區和所述第一塑封層；

形成圖形化的背面金屬層，所述背面金屬層覆蓋所述種子層，露出所述第二邊緣區和所述第一塑封層。

5.根據權利要求4所述的封裝方法，其特征在于，所述種子層和所述背面金屬層的形成方法包括：

在減薄后的所述第二側形成未圖形化的種子層以及覆蓋所述種子層的光刻膠層；

圖形化所述光刻膠層，去除對應所述中間區域的光刻膠層，保留對應所述溝槽和所述第二邊緣區的光刻膠層；

基于圖形化后的所述光刻膠層，在所述種子層對應所述中間區域的表面形成圖形化的背面金屬層；

去除所述光刻膠層，基于圖形化的所述背面金屬層，去除對應所述溝槽以及所述第二邊緣區的種子層。

6.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，在進行分割之前，還包括：

對所述第二塑封層背離所述半導體晶圓的一側表面進行平坦化處理。

7.根據權利要求1-6任一項所述的封裝方法，其特征在于，所述第一塑封層和所述第二塑封層為材料相同的樹脂層。

8.一種芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片封裝結構包括：

芯片基底，所述芯片基底具有相對的第一側和第二側；所述第一側具有功能區以及包圍所述功能區的第一邊緣區；所述第二側包括中間區域和包圍所述中間區域的第二邊緣區；

有源層，所述有源層覆蓋所述功能區，露出所述第一邊緣區；

第一互聯結構，所述第一互聯結構位于所述有源層的表面；

第一塑封層，所述第一塑封層覆蓋所述第一邊緣區、所述第一互聯結構以及所述有源層；

第二互聯結構，所述第二互聯結構覆蓋所述中間區域；

第二塑封層，所述第二塑封層覆蓋所述第二邊緣區和所述第二互聯結構；

其中，所述第一塑封層還包圍所述芯片基底的側面。

9.根據權利要求8所述的芯片封裝結構，其特征在于，位于所述芯片基底側面的第一塑封層與所述第二側齊平；

所述第二塑封層覆蓋所述第一塑封層與所述第二側齊平的表面，且覆蓋所述第二互聯結構的側面。