[發明專利]高可靠性高性能薄膜微波衰減片的制作方法

有效

• 申請號: 202011123982.5
• 申請日: 2020-10-20
• 公開（公告）號: CN112332064B
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 陳建良
• 申請（專利權）人: 蘇州市新誠氏通訊電子股份有限公司
• 主分類號: H01P11/00
• 分類號: H01P11/00
• 代理公司: 蘇州周智專利代理事務所(特殊普通合伙) 32312
• 代理人: 周雅卿

本發明公開了一種高可靠性高性能薄膜微波衰減片的制作方法，包括以下步驟：對陶瓷基板背面采用厚膜印刷工藝印刷高溫銀漿，在陶瓷基板的正面焊盤處采用厚膜印刷工藝印刷高溫銀漿，然后放入燒結爐進行燒結，在陶瓷基板正面涂布光刻膠、曝光、顯影后分別濺射Ti/W金屬層和Ni/Cr金屬層，在去膠液中去除光刻膠，最后涂布光刻膠、曝光、顯影后真空濺射電鍍層，采用高溫對TaN電阻層進行氧化，使其表面形成氧化層，對電阻進行微調，氧化層對電阻起到保護的作用。本發明減少了工藝步驟，極大提高了衰減電路的精度，保證產品的質量。

技術領域

本發明屬于衰減片技術領域，特別是涉及一種高可靠性高性能薄膜微波衰減片的制作方法。

背景技術

微波功率衰減片因其重量輕、體積小、易于集成等優點被廣泛運用于微波通信系統與微波電路中。其可以在微波電路中接在濾波器、天線、環行器、功放等組件的終端，當這些組件出現失配時,匹配吸收多余的反射功率,對各組件提供保護作用，也可以運用在微波電路中降低輸入信號而不使信號發生畸變的組件，是微波通信系統和微波電路中不可或缺的元器件。

目前的微波功率衰減片主要還是采用厚膜印刷的工藝，其由于電路膜厚較厚，容易產生趨膚效應，并且印刷電阻阻值精度較差，采用激光鐳射方式進行修正，在高頻時其寄生容抗和感抗產生影響，影響高頻特性。

有少部分采用蝕刻工藝對衰減片進行加工，該工序較為復雜，根據金屬層的不同往往需要重復2-4次，并且蝕刻工藝較難把控，產品的良率差，特別是多次蝕刻時，往往會對前一次已經蝕刻好的圖形成側蝕現象，影響圖形的精度，進而影響產品的特性。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種高可靠性高性能薄膜微波衰減片的制作方法，減少了工藝步驟，極大提高了衰減電路的精度，保證產品的質量。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種高可靠性高性能薄膜微波衰減片的制作方法，包括以下步驟：

S1、對陶瓷基板背面采用厚膜印刷工藝印刷高溫銀漿，印刷好導體后進行烘干，烘干溫度為140-160℃，烘干時間為12-18min，在陶瓷基板的正面焊盤處采用厚膜印刷工藝印刷高溫銀漿，印刷好焊盤后進行烘干，烘干溫度為140-160℃，烘干時間為12-18min；

S2、把印刷好背面導體和正面焊盤的陶瓷基板放入燒結爐進行燒結，燒結溫度為800-850℃，燒結時間為15～20分鐘；

S3、在燒結過的陶瓷基板正面涂布光刻膠，光刻膠的厚度為1-3μm，然后對光刻膠進行烘干，把帶有烘干的光刻膠的陶瓷基板放入光刻機進行紫外曝光，然后用顯影液把需要濺射導線的部分蝕刻掉，同時露出印刷厚膜銀漿的焊盤，蝕刻時光刻膠蝕刻干凈露出陶瓷基板；

S4、把已經完成顯影的陶瓷基板裝載到磁控濺射爐中，采用磁控濺射爐濺射Ti/W金屬層，導線區域和焊盤區域導通；

濺射完Ti/W金屬層后，繼續濺射Ni/Cr金屬層，導線區域和焊盤區域導通；

S5、濺射好Ni/Cr金屬層后，在去膠液中去除光刻膠，光刻膠去除后則留下需要的導線；

S6、在已經濺射好金屬導線的陶瓷基板正面再次涂布光刻膠，光刻膠厚度為1-3μm，然后對光刻膠進行烘干，把帶有烘干的光刻膠的陶瓷基板，放入光刻機進行紫外曝光，然后用顯影液把需要濺射電阻部分光刻膠蝕刻掉，蝕刻時光刻膠蝕刻干凈露出陶瓷基板且電阻兩端需要留出0.1-0.2mm的導線，濺射后的電阻需要覆蓋露出的導線部分，以保證電路導通；

S7、把已經完成顯影的陶瓷基板裝載到磁控濺射爐中，采用磁控濺射爐濺射TaN層以形成電阻，工藝條件為：Ar氣流量為18-22sccm，N₂氣流量為7-9sccm，工作氣壓為0.5-0.7Pa，濺射功率為2500-2700W；