[發(fā)明專利]高可靠性高性能薄膜微波衰減片的制作方法

有效

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• 申請日: 2020-10-20
• 公開（公告）號: CN112332064B
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發(fā)明（設計）人: 陳建良
• 申請（專利權）人: 蘇州市新誠氏通訊電子股份有限公司
• 主分類號: H01P11/00
• 分類號: H01P11/00
• 代理公司: 蘇州周智專利代理事務所(特殊普通合伙) 32312
• 代理人: 周雅卿

1.一種高可靠性高性能薄膜微波衰減片的制作方法，其特征在于：包括以下步驟：

S1、對陶瓷基板背面采用厚膜印刷工藝印刷高溫銀漿，印刷好導體后進行烘干，烘干溫度為140-160℃，烘干時間為12-18min，在陶瓷基板的正面焊盤處采用厚膜印刷工藝印刷高溫銀漿，印刷好焊盤后進行烘干，烘干溫度為140-160℃，烘干時間為12-18min；

S2、把印刷好背面導體和正面焊盤的陶瓷基板放入燒結(jié)爐進行燒結(jié)，燒結(jié)溫度為800-850℃，燒結(jié)時間為15～20分鐘；

S3、在燒結(jié)過的陶瓷基板正面涂布光刻膠，光刻膠的厚度為1-3μm，然后對光刻膠進行烘干，把帶有烘干的光刻膠的陶瓷基板放入光刻機進行紫外曝光，然后用顯影液把需要濺射導線的部分蝕刻掉，同時露出印刷厚膜銀漿的焊盤，蝕刻時光刻膠蝕刻干凈露出陶瓷基板；

S4、把已經(jīng)完成顯影的陶瓷基板裝載到磁控濺射爐中，采用磁控濺射爐濺射Ti/W金屬層，導線區(qū)域和焊盤區(qū)域?qū)ǎ?/p>

濺射完Ti/W金屬層后，繼續(xù)濺射Ni/Cr金屬層，導線區(qū)域和焊盤區(qū)域?qū)ǎ?/p>

S5、濺射好Ni/Cr金屬層后，在去膠液中去除光刻膠，光刻膠去除后則留下需要的導線；

S6、在已經(jīng)濺射好金屬導線的陶瓷基板正面再次涂布光刻膠，光刻膠厚度為1-3μm，然后對光刻膠進行烘干，把帶有烘干的光刻膠的陶瓷基板，放入光刻機進行紫外曝光，然后用顯影液把需要濺射電阻部分光刻膠蝕刻掉，蝕刻時光刻膠蝕刻干凈露出陶瓷基板且電阻兩端需要留出0.1-0.2mm的導線，濺射后的電阻需要覆蓋露出的導線部分，以保證電路導通；

S7、把已經(jīng)完成顯影的陶瓷基板裝載到磁控濺射爐中，采用磁控濺射爐濺射TaN層以形成電阻，工藝條件為：Ar氣流量為18-22sccm，N₂氣流量為7-9sccm，工作氣壓為0.5-0.7Pa，濺射功率為2500-2700W；

S8、濺射好TaN電阻層后，在去膠液中去除光刻膠，光刻膠去除后則留下需要的衰減電路的電阻，電阻通過四探針測阻儀進行檢測；

S9、采用高溫對TaN電阻層進行氧化，使其表面形成氧化層，對電阻進行微調(diào)，氧化層對電阻起到保護的作用；

S10、對產(chǎn)品印刷二次保護膜對電路進行保護，只露出需要焊接的焊盤部分和接地導線部分；

S11、用自動分條機沿著接地線方向?qū)λp片進行分條，并且把分好條的產(chǎn)品擺入治具中，然后用磁控濺射爐，再次濺射產(chǎn)品的側(cè)導，以保證產(chǎn)品的正面電路和背面印刷的接地導線導通；

S12、濺射好側(cè)導的產(chǎn)品，采用自動分粒機進行分粒，分粒好的產(chǎn)品進行電鍍處理。

2.根據(jù)權利要求1所述的高可靠性高性能薄膜微波衰減片的制作方法，其特征在于：所述陶瓷基板為高導熱陶瓷基板，所述高導熱陶瓷基板為氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板或氧化鈹陶瓷基板。

3.根據(jù)權利要求1所述的高可靠性高性能薄膜微波衰減片的制作方法，其特征在于：在步驟S1中的銀漿包括以下重量份的原料：銀粉60-70份、硅烷偶聯(lián)劑1-2份、玻璃粉3-5份、氣相二氧化硅觸變劑0.5-2份、固化劑0.2-0.8份、有機溶劑3-5份和稀釋劑1-2份。

4.根據(jù)權利要求3所述的高可靠性高性能薄膜微波衰減片的制作方法，其特征在于：所述玻璃粉包括二氧化鈦、三氧化二硼、氧化鋰和氧化鉀中的至少一種；

所述硅烷偶聯(lián)劑包括氨丙基三乙氧基硅烷、縮水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷和丙基三甲氧基硅烷中的至少一種；

所述固化劑為三甲基六亞甲基二胺；

所述有機溶劑為自二乙二醇丁醚醋酸酯；

所述稀釋劑包括以下重量百分比的原料：乙醇30-60％和丁基卡必醇醋酸酯40-70％。

5.根據(jù)權利要求1所述的高可靠性高性能薄膜微波衰減片的制作方法，其特征在于：所述去膠液是濃度為5-6％的氫氧化鈉溶液，經(jīng)過去膠處理后，通過紫外燈光線觀察光刻膠的殘留量，如有殘膠，反復用去膠液清洗，直至產(chǎn)品表面無光刻膠。