[發明專利]一種清潔硅基器件的方法

在審

• 申請號: 202011123805.7
• 申請日: 2020-10-20
• 公開（公告）號: CN112259445A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 費孝斌;黃寓洋
• 申請（專利權）人: 蘇州蘇納光電有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王茹;王鋒

本發明公開了一種清潔硅基器件的方法。所述方法包括：提供包含OH^?的腐蝕液，使所述腐蝕液與靜電吸附有臟污的硅基器件底部接觸，所述腐蝕液中的OH^?與硅反應生成氫氣，且所述氫氣產生的向上的作用力至少能夠使臟污克服靜電吸附的作用力，進而從所述硅基器件底部的臟污去除，實現硅基器件的清潔。本發明提供的解決硅基V槽底部臟污靜電吸附的方法，通過腐蝕的形式，利用硅與氫氧根離子反應產生的氫氣，將由于靜電吸附的臟污頂起，使其懸浮于溶液中，從而去除V槽底部的臟污，大大提高晶圓良率，可以被廣泛應用于硅基V槽制作流程中。

技術領域

本發明涉及一種清潔硅基器件的方法，特別涉及一種解決硅基器件(尤其是硅基V槽)底部臟污靜電吸附，從而去除臟污的方法，屬于半導體制造技術領域。

背景技術

隨著接入網光纖到戶FTTH的迅速發展，PLC即平面光波導器件被大量使用，其典型通道數為8、16、32和64。PLC使用到通信網之前需要進行與FA即光纖陣列的連接封裝，其中光波導陣列與光纖列陣的低損耗對接耦合是一道重要的工藝環節，必須同時兼顧兩個指標，一是各通道的插入損耗要盡可能小，二是通道間的均勻性即插入損耗的差值也要盡可能的小。由于對準精度十分嚴格，硅基V槽被廣泛應用于光纖中，其質量也直接影響性能。

目前，采用濕法腐蝕后的晶圓，底部由于靜電吸附會有少量臟污殘留，良率低。因此，如何尋求一種有效去除硅基V槽底部臟污的新技術，已然成為業界研究人員長期以來一直努力的方向。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種清潔硅基器件的方法，從而克服了現有技術中的不足。

為實現上述發明目的，本發明采用了如下技術方案：

本發明實施例提供了一種清潔硅基器件的方法，其包括：

提供包含OH^-的腐蝕液；

將所述腐蝕液與靜電吸附有臟污的硅基器件底部接觸，并使所述腐蝕液中的OH^-與硅于70～90℃反應生成氫氣，且所述氫氣產生的向上的作用力至少能夠使臟污克服靜電吸附的作用力，進而從所述硅基器件底部的臟污去除，實現硅基器件的清潔。

在一些優選實施例中，所述清潔硅基器件的方法包括：將靜電吸附有臟污的硅基器件浸置于所述腐蝕液中，并持續腐蝕1～3min。

在一些優選實施例中，所述硅基器件具有硅基凹槽結構。

進一步地，所述硅基器件具有硅基V槽結構。

進一步地，所述方法還包括：將腐蝕后的硅基器件浸置于酸性溶液中漂洗1～5min。

較之現有技術，本發明提供的解決硅基V槽底部臟污靜電吸附的方法，通過腐蝕的形式，利用硅與氫氧根離子反應產生的氫氣，將由于靜電吸附的臟污頂起，使其懸浮于溶液中，從而去除V槽底部的臟污，大大提高晶圓良率，可以被廣泛應用于硅基V槽制作流程中。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發明一典型實施方案中一種解決硅基V槽底部臟污靜電吸附的方法及原理示意圖。

具體實施方式