[發(fā)明專利]一種清潔硅基器件的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011123805.7
• 申請(qǐng)日: 2020-10-20
• 公開（公告）號(hào): CN112259445A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 費(fèi)孝斌;黃寓洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州蘇納光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王茹;王鋒

1.一種清潔硅基器件的方法，其特征在于包括：

提供包含OH^-的腐蝕液；

將所述腐蝕液與靜電吸附有臟污的硅基器件底部接觸，并使所述腐蝕液中的OH^-與硅于70～90℃反應(yīng)生成氫氣，且所述氫氣產(chǎn)生的向上的作用力至少能夠使臟污克服靜電吸附的作用力，進(jìn)而從所述硅基器件底部的臟污去除，實(shí)現(xiàn)硅基器件的清潔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述腐蝕液包括氫氧化鉀和/或氫氧化鈉的溶液。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述腐蝕液中OH^-的濃度為20～40％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于包括：將靜電吸附有臟污的硅基器件浸置于所述腐蝕液中，并持續(xù)腐蝕1～3min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述硅基器件具有凹槽結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于：所述硅基器件具有硅基槽形結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：所述硅基器件為晶圓。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于還包括：將腐蝕后的硅基器件浸置于酸性溶液中漂洗1～5min。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于：所述酸性溶液為稀鹽酸。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于：所述稀鹽酸的濃度為10～40％。