[發明專利]CIS的微透鏡的形成方法

在審

• 申請號: 202011121262.5
• 申請日: 2020-10-20
• 公開（公告）號: CN112259567A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 白旭東;米魁;程劉鎖;陳廣龍;王函;范曉
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本申請公開了一種CIS的微透鏡的形成方法，包括：在硬掩模層上形成介質層，硬掩模層下方形成有像素單元；通過光刻工藝在介質層上的目標區域覆蓋光阻，目標區域是微透鏡所對應的區域；進行第一次刻蝕，在目標區域之間形成溝槽；進行第二次刻蝕，對介質層進行減薄，使目標區域的介質層的表面具有弧度，目標區域的介質層形成微透鏡，第二次刻蝕為各向同性刻蝕；去除光阻。本申請通過在CIS的像素單元的上方形成介質層后，通過兩次刻蝕形成CIS的微透鏡，由于不需要經過兩次沉積形成介質層從而形成微透鏡，降低了工藝的復雜度，降低了制造成本。

技術領域

本申請涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種互補金屬氧化物半導體圖像傳感器(complementary metal oxide semiconductor contact image sensor，CIS)的微透鏡(micro-lens)的形成方法。

背景技術

CIS是采用CMOS器件制作的圖像傳感器，由于其具有集成度高、供電電壓低和技術門檻低等優勢，廣泛應用于攝影攝像、安防系統、智能便攜電話以及醫療電子等領域。

通常，CIS包括像素(pixel)單元和形成于像素單元上方的微透鏡。其中，微透鏡是通過在像素單元上方形成前置微透鏡后，再沉積介質層形成，需要經過兩次沉積過程，工藝較為復雜，制造成本較高。

發明內容

本申請提供了一種CIS的微透鏡的形成方法，可以解決相關技術中提供的CIS的微透鏡的形成方法由于工藝復雜所導致的制造成本較高的問題。

一方面，本申請實施例提供了一種CIS的微透鏡的形成方法，包括：

在硬掩模層上形成介質層，所述硬掩模層下方形成有像素單元；

通過光刻工藝在所述介質層上的目標區域覆蓋光阻，所述目標區域是所述微透鏡所對應的區域；

進行第一次刻蝕，在所述目標區域之間形成溝槽；

進行第二次刻蝕，對所述介質層進行減薄，使所述目標區域的介質層的表面具有弧度，所述目標區域的介質層形成所述微透鏡，所述第二次刻蝕為各向同性刻蝕；

去除所述光阻。

可選的，所述進行第一次刻蝕，包括：

通過干法刻蝕工藝進行所述第一次刻蝕。

可選的，所述進行第一次刻蝕后形成的溝槽的深度為2000埃至6000埃。

可選的，所述介質層包括氧化層。

可選的，所述介質層的厚度大于8000埃。

可選的，所述進行第二次刻蝕，包括：

通過濕法刻蝕工藝進行所述第二次刻蝕。

可選的，所述硬掩模層包括氮化硅層。

可選的，所述硬掩模層的厚度為1000埃至8000埃。

本申請技術方案，至少包括如下優點：

通過在CIS的像素單元的上方形成介質層后，通過兩次刻蝕形成CIS的微透鏡，由于不需要經過兩次沉積形成介質層從而形成微透鏡，降低了工藝的復雜度，降低了制造成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請具體實施方式或現有技術中的技術方案，下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本申請一個示例性實施例提供的CIS的微透鏡的形成方法流程圖；