[發明專利]CIS的微透鏡的形成方法在審
| 申請號： | 202011121262.5 | 申請日： | 2020-10-20 |
| 公開（公告）號： | CN112259567A | 公開（公告）日： | 2021-01-22 |
| 發明（設計）人： | 白旭東;米魁;程劉鎖;陳廣龍;王函;范曉 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cis 透鏡 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種CIS的微透鏡的形成方法，其特征在于，包括：
在硬掩模層上形成介質層，所述硬掩模層下方形成有像素單元；
通過光刻工藝在所述介質層上的目標區域覆蓋光阻，所述目標區域是所述微透鏡所對應的區域；
進行第一次刻蝕，在所述目標區域之間形成溝槽；
進行第二次刻蝕，對所述介質層進行減薄，使所述目標區域的介質層的表面具有弧度，所述目標區域的介質層形成所述微透鏡，所述第二次刻蝕為各向同性刻蝕；
去除所述光阻。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述進行第一次刻蝕，包括：
通過干法刻蝕工藝進行所述第一次刻蝕。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述進行第一次刻蝕后形成的溝槽的深度為2000埃至6000埃。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述介質層包括氧化層。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述介質層的厚度大于8000埃。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述進行第二次刻蝕，包括：
通過濕法刻蝕工藝進行所述第二次刻蝕。
7.根據權利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述硬掩模層包括氮化硅層。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述硬掩模層的厚度為1000埃至8000埃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
