[發明專利]一種超薄晶圓電鍍、化鍍整合工藝在審
| 申請號: | 202011120973.0 | 申請日: | 2020-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN112259493A | 公開(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發明(設計)人: | 嚴立巍;文鍾;符德榮 | 申請(專利權)人: | 紹興同芯成集成電路有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/02;C23C28/00 |
| 代理公司: | 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 王依 |
| 地址: | 312000 浙江省紹興市越城區*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 超薄 電鍍 整合 工藝 | ||
1.一種超薄晶圓電鍍、化鍍整合工藝,其特征在于,包括以下步驟:
S1:鍵合玻璃載板的超薄晶圓或是緩坡狀邊緣的超薄晶圓,晶圓水平傳送至環狀夾具結合區,以環狀的夾具固定住;
S2:利用環狀夾具固定住超薄晶圓,超薄晶圓與電鍍槽的電源接觸點接合,開始進行電鍍制程;
S3:完成電鍍后,環狀夾具固定住超薄晶圓進入旋轉噴淋腔體,完成光阻去除步驟;
S4:進行種子層刻蝕及化鍍的前處理制程,包括表面刻蝕、清洗及表面金屬催化層生成、化學處理、有機溶劑、酸、堿,清洗工序,使用垂直噴淋裝置;
S5:環狀夾具繼續固定住超薄晶圓進入化鍍槽,分別完成各種金屬化鍍制程;
S6:環狀連同超薄晶圓最后完成清洗及干燥步驟;
S7:在設備的輸出端,將環狀夾具與超薄晶圓分離,環狀夾具回收而超薄晶圓回到晶圓盒中。
2.根據權利要求1所述的一種超薄晶圓電鍍、化鍍整合工藝,其特征在于,所述步驟S1中,采用半圓式夾并結合將超薄晶圓厚的邊緣,夾具設計有與外部電源的連通點,電流透過環狀夾具均勻的分布到晶圓表面。
3.根據權利要求1所述的一種超薄晶圓電鍍、化鍍整合工藝,其特征在于,所述步驟S5中,金屬化鍍包括Au pd Ni。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





