[發(fā)明專利]一種超薄晶圓電鍍、化鍍整合工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011120973.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112259493A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 嚴(yán)立巍;文鍾;符德榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 紹興同芯成集成電路有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L21/02;C23C28/00 |
| 代理公司: | 北京同輝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 王依 |
| 地址: | 312000 浙江省紹興市越城區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 超薄 電鍍 整合 工藝 | ||
本發(fā)明公開(kāi)一種超薄晶圓電鍍、化鍍整合工藝,包括以下步驟:鍵合玻璃載板的超薄晶圓或是緩坡?tīng)钸吘壍某【A,超薄晶圓與電鍍槽的電源接觸點(diǎn)接合,開(kāi)始進(jìn)行電鍍制程,完成電鍍后,環(huán)狀?yuàn)A具固定住超薄晶圓進(jìn)入旋轉(zhuǎn)噴淋腔體,完成光阻去除步驟,進(jìn)行種子層刻蝕及化鍍的前處理制程,環(huán)狀?yuàn)A具繼續(xù)固定住超薄晶圓進(jìn)入化鍍槽,分別完成各種金屬化鍍制程,環(huán)狀連同超薄晶圓最后完成清洗及干燥步驟,將環(huán)狀?yuàn)A具與超薄晶圓分離。本發(fā)明超薄晶圓電鍍、化鍍整合工藝設(shè)備整合工藝可以水平/垂直式配搭,旋轉(zhuǎn)及浸泡式配搭以完成最佳的制程效率,超薄晶圓無(wú)間斷的在不同類型的反應(yīng)槽中傳送、定位完成每一制程,避免中間間隔產(chǎn)生的自然氧化或污染。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域,具體是一種超薄晶圓電鍍、化鍍整合工藝。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體3D元件或MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))或高階高功率器件,結(jié)合超薄晶圓及玻璃載板,運(yùn)用TSV及TGV連結(jié)上下元件形成快速、低損耗、散熱性佳的2.5D,3D元件,需要結(jié)合化鍍及電鍍的優(yōu)點(diǎn)及特性達(dá)成完美的金屬連通及鍵接。
化鍍亦稱為無(wú)電極電鍍,特點(diǎn)是利用基板表面的金屬與電解液之間的電位差,自然自發(fā)性產(chǎn)生電化學(xué)反應(yīng),不須外加電極及電流,優(yōu)點(diǎn)是可達(dá)成選擇性成長(zhǎng),只會(huì)在有金屬的部分產(chǎn)生反應(yīng),只有絕緣體的部分完全不會(huì)反應(yīng),因此不須黃光圖案即可形成電鍍區(qū)域圖案分布,但由于膜厚達(dá)到一定程度后,離子交換的速度會(huì)減慢,不利于厚層電鍍膜的制作,另外,化鍍對(duì)金屬表面的特性要求非常高,有任何自然氧化層及有機(jī)物或其他的污染,皆會(huì)嚴(yán)重影響后續(xù)化鍍的效果,針對(duì)這種情況,結(jié)合有電極電鍍及無(wú)電極化鍍的特性,整合制程及設(shè)備達(dá)成最效率及良率的晶圓及玻璃載板整合制程,現(xiàn)提出一種超薄晶圓電鍍、化鍍整合工藝。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種超薄晶圓電鍍、化鍍整合工藝,設(shè)備整合工藝可以水平/垂直式配搭,旋轉(zhuǎn)及浸泡式配搭以完成最佳的制程效率,超薄晶圓可以無(wú)間斷的在不同類型的反應(yīng)槽中傳送、定位完成每一制程,即可避免中間間隔產(chǎn)生的自然氧化或污染,亦可降低不同設(shè)備轉(zhuǎn)換過(guò)程中超薄晶圓可能產(chǎn)生破片的危險(xiǎn),由于沒(méi)有快速旋轉(zhuǎn)的機(jī)械動(dòng)作,大幅度降低了超薄晶圓破片的風(fēng)險(xiǎn),
本發(fā)明的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種超薄晶圓電鍍、化鍍整合工藝,包括以下步驟:
S1:鍵合玻璃載板的超薄晶圓或是緩坡?tīng)钸吘壍某【A,晶圓水平傳送至環(huán)狀?yuàn)A具結(jié)合區(qū),以環(huán)狀的夾具固定住;
S2:利用環(huán)狀?yuàn)A具固定住超薄晶圓,超薄晶圓與電鍍槽的電源接觸點(diǎn)接合,開(kāi)始進(jìn)行電鍍制程;
S3:完成電鍍后,環(huán)狀?yuàn)A具固定住超薄晶圓進(jìn)入旋轉(zhuǎn)噴淋腔體,完成光阻去除步驟;
S4:進(jìn)行種子層刻蝕及化鍍的前處理制程,包括表面刻蝕、清洗及表面金屬催化層生成、化學(xué)處理、有機(jī)溶劑、酸、堿,清洗工序,使用垂直噴淋裝置;
S5:環(huán)狀?yuàn)A具繼續(xù)固定住超薄晶圓進(jìn)入化鍍槽,分別完成各種金屬化鍍制程;
S6:環(huán)狀連同超薄晶圓最后完成清洗及干燥步驟;
S7:在設(shè)備的輸出端,將環(huán)狀?yuàn)A具與超薄晶圓分離,環(huán)狀?yuàn)A具回收而超薄晶圓回到晶圓盒中。
進(jìn)一步地,所述步驟S1中,采用半圓式夾并結(jié)合將超薄晶圓厚的邊緣,夾具設(shè)計(jì)有與外部電源的連通點(diǎn),電流透過(guò)環(huán)狀?yuàn)A具均勻的分布到晶圓表面。
進(jìn)一步地,所述步驟S5中,金屬化鍍包括Au pd Ni。
本發(fā)明的有益效果:
1、本發(fā)明超薄晶圓電鍍、化鍍整合工藝設(shè)備整合工藝可以水平/垂直式配搭,旋轉(zhuǎn)及浸泡式配搭以完成最佳的制程效率;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





