[發明專利]半導體器件塑封料選取方法、裝置、終端設備及存儲介質

在審

• 申請號: 202011120582.9
• 申請日: 2020-10-19
• 公開（公告）號: CN114388385A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 梁賽嫦;楊發森;吳佳蒙;史波;肖婷
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司;珠海零邊界集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;B07C5/36;B07C5/08
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;陳敏

本申請提供的一種半導體器件塑封料選取方法、裝置、終端設備及存儲介質，該方法包括根據所述鈍化層的材料信息和所述封裝形式，選取與所述鈍化層的材料信息和所述封裝形式均匹配的目標塑封料；其中，所述目標塑封料能夠使得通過所述目標塑封料封裝之后的所述待封裝半導體器件在高溫反偏試驗中的漏電流小于第一預設閾值且該待封裝半導體器件在高溫反偏試驗中于預設時間范圍內的漏電流變化值小于第二預設閾值。該方法從封裝層面出發，根據器件的鈍化層材料和封裝形式，選擇與之均匹配的塑封料進行封裝，達到降低半導體器件漏電的目的，提高其可靠性及穩定性。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，特別地涉及一種半導體器件塑封料選取方法、裝置、終端設備及存儲介質。

背景技術

功率半導體器件是電子裝置中電路控制與電能轉換的核心，主要用于改變電子裝置中電壓、頻率和電流轉換，如分立器件絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate BipolarTransistor，IGBT)、快速恢復二極管(Fast Recovery Diode,FRD)、金屬氧化物半導體場效應管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)等，廣泛應用于變頻空調、洗衣機、冰箱為代表的家電及軌道交通、新能源等領域。由于功率半導體器件的使用特性及應用環境，決定了功率半導體器件的可靠性必須得到保證和提高，才能確保整個電力轉換裝置的可靠運行。其中，漏電流大小是評判功率半導體器件可靠性的重要指標，反向偏壓越大，溫度越高，其漏電流也越大。漏電流持續增大，器件損耗增大，器件穩定性就被降低。因此，需要使器件的漏電流控制在一定范圍內并使其穩定。高溫反偏試驗(HighTemperature Reverse Bias，HTRB)是監測漏電流的主要實驗方法，具體為半導體器件的結溫條件下，施加最大反偏電壓的80％，在電和熱應力的作用下，監控器件漏電情況。而器件的漏電流，不僅與芯片結構設計和晶圓的具體生產工藝強相關，而且封裝所使用的塑封料對漏電流同樣影響較大。

發明內容

針對上述問題，本申請提供一種半導體器件塑封料選取方法、裝置、終端設備及存儲介質，解決了現有技術中半導體器件封裝所使用的塑封料對漏電流影響較大的技術問題。

第一方面，本申請提供了一種半導體器件塑封料選取方法，所述方法包括：

獲取待封裝半導體器件的額定工作信息及其鈍化層的材料信息；

根據所述待封裝半導體器件的額定工作信息，確定所述待封裝半導體器件的封裝形式；

根據所述鈍化層的材料信息和所述封裝形式，選取與所述鈍化層的材料信息和所述封裝形式均匹配的目標塑封料；其中，所述目標塑封料能夠使得通過所述目標塑封料封裝之后的所述待封裝半導體器件在高溫反偏試驗中的漏電流小于第一預設閾值且該待封裝半導體器件在高溫反偏試驗中于預設時間范圍內的漏電流變化值小于第二預設閾值。

根據本申請的實施例，優選的，上述半導體器件塑封料選取方法中，根據所述鈍化層的材料信息和所述封裝形式，選取與所述鈍化層的材料信息和所述封裝形式均匹配的目標塑封料，包括以下步驟：

根據所述封裝形式，選取與所述封裝形式匹配的塑封料作為備選塑封料；

當所述鈍化層的材料為聚酰亞胺時，根據所述鈍化層的材料信息，從所述備選塑封料中選取不純離子濃度小于第三預設閾值以及導熱系數大于第四預設閾值的塑封料作為目標塑封料；

當所述鈍化層的材料包括氮化硅時，根據所述鈍化層的材料信息，從所述備選塑封料中選取任意一種塑封料作為目標塑封料。

根據本申請的實施例，優選的，上述半導體器件塑封料選取方法中，所述額定工作信息包括額定工作電壓和額定工作電流。

根據本申請的實施例，優選的，上述半導體器件塑封料選取方法中，所述封裝形式包括全包封裝或半包封裝。