[發明專利]半導體器件塑封料選取方法、裝置、終端設備及存儲介質

在審

• 申請號: 202011120582.9
• 申請日: 2020-10-19
• 公開（公告）號: CN114388385A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 梁賽嫦;楊發森;吳佳蒙;史波;肖婷
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司;珠海零邊界集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;B07C5/36;B07C5/08
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;陳敏

1.一種半導體器件塑封料選取方法，其特征在于，所述方法包括：

獲取待封裝半導體器件的額定工作信息及其鈍化層的材料信息；

根據所述待封裝半導體器件的額定工作信息，確定所述待封裝半導體器件的封裝形式；

根據所述鈍化層的材料信息和所述封裝形式，選取與所述鈍化層的材料信息和所述封裝形式均匹配的目標塑封料；其中，所述目標塑封料能夠使得通過所述目標塑封料封裝之后的所述待封裝半導體器件在高溫反偏試驗中的漏電流小于第一預設閾值且該待封裝半導體器件在高溫反偏試驗中于預設時間范圍內的漏電流變化值小于第二預設閾值。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據所述鈍化層的材料信息和所述封裝形式，選取與所述鈍化層的材料信息和所述封裝形式均匹配的目標塑封料，包括以下步驟：

根據所述封裝形式，選取與所述封裝形式匹配的塑封料作為備選塑封料；

當所述鈍化層的材料為聚酰亞胺時，根據所述鈍化層的材料信息，從所述備選塑封料中選取不純離子濃度小于第三預設閾值以及導熱系數大于第四預設閾值的塑封料作為目標塑封料；

當所述鈍化層的材料包括氮化硅時，根據所述鈍化層的材料信息，從所述備選塑封料中選取任意一種塑封料作為目標塑封料。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述額定工作信息包括額定工作電壓和額定工作電流。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述封裝形式包括全包封裝或半包封裝。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一預設閾值為100μA。

6.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三預設閾值為5ppm。

7.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第四預設閾值為2.0W/m*K。

8.一種半導體器件塑封料選取裝置，其特征在于，包括：

信息獲取模塊，用于獲取待封裝半導體器件的額定工作信息及其鈍化層的材料信息；

封裝形式確定模塊，用于根據所述待封裝半導體器件的額定工作信息，確定所述待封裝半導體器件的封裝形式；

塑封料選取模塊，用于根據所述鈍化層的材料信息和所述封裝形式，選取與所述鈍化層的材料信息和所述封裝形式均匹配的目標塑封料；其中，所述目標塑封料能夠使得通過所述目標塑封料封裝之后的所述待封裝半導體器件在高溫反偏試驗中的漏電流小于第一預設閾值且該待封裝半導體器件在高溫反偏試驗中于預設時間范圍內的漏電流變化值小于第二預設閾值。

9.一種終端設備，其特征在于，包括存儲器和處理器，所述存儲器上存儲有計算機程序，該計算機程序被所述處理器執行時，執行如權利要求1至7中任一項所述的半導體器件塑封料選取方法。

10.一種存儲介質，其特征在于，該存儲介質存儲的計算機程序，可被一個或多個處理器執行，可用來實現如權利要求1至7中任一項所述的半導體器件塑封料選取方法。