[發(fā)明專利]非易失型閃存深睡眠低靜態(tài)功耗的電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011117308.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111951866B | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馮鵬亮;陳緯榮;陳慧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市芯天下技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C16/30 | 分類號(hào): | G11C16/30;G06F1/3234 |
| 代理公司: | 佛山市海融科創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44377 | 代理人: | 陳志超;唐敏珊 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)橫*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 非易失型 閃存 睡眠 靜態(tài) 功耗 電路 | ||
1.一種非易失型閃存深睡眠低靜態(tài)功耗的電路,其特征在于,包括常通電源域和可關(guān)斷電源域,所述常通電源域內(nèi)的時(shí)序邏輯電路由常通電源電壓VCC供電,可關(guān)斷電源域內(nèi)的時(shí)序邏輯電路由可關(guān)斷電源電壓VCC_PG供電;
所述常通電源域一端連接常通電源電壓VCC,常通電源域另一端接地,常通電源域包括用于響應(yīng)退出深睡眠狀態(tài)指令的接口模塊電路SPI interface、負(fù)責(zé)上電狀態(tài)機(jī)的上電模塊電路Config;所述可關(guān)斷電源域一端連接可關(guān)斷電源電壓VCC_PG,可關(guān)斷電源域另一端接地,所述可關(guān)斷電源域包括擦除編程狀態(tài)機(jī)模塊電路Algorithm;所述可關(guān)斷電源域與第一與門的其中一個(gè)輸入端連接,第一與門的另一個(gè)輸入端連接使能信號(hào)iso_en,第一與門的輸出端與常通電源域連接,第一與門連接常通電源電壓VCC。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失型閃存深睡眠低靜態(tài)功耗的電路,其特征在于,所述可關(guān)斷電源電壓VCC_PG如下設(shè)置:所述可關(guān)斷電源域一端連接常通電源電壓VCC,在常通電源電壓VCC和可關(guān)斷電源域一端之間設(shè)置一個(gè)可關(guān)斷開關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非易失型閃存深睡眠低靜態(tài)功耗的電路,其特征在于,所述可關(guān)斷開關(guān)采用PMOS管,所述PMOS管的柵極連接使能信號(hào)pg_en,PMOS管的漏極連接常通電源電壓VCC,PMOS管的源極連接可關(guān)斷電源域一端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失型閃存深睡眠低靜態(tài)功耗的電路,其特征在于,所述電路還包括模擬模塊電路Analog,所述模擬模塊電路Analog的一端連接常通電源電壓VCC,模擬模塊電路Analog另一端接地;所述可關(guān)斷電源域與第二與門的其中一個(gè)輸入端連接,第二與門的另一個(gè)輸入端連接使能信號(hào)iso_en,第二與門的輸出端與模擬模塊電路Analog連接,第二與門連接常通電源電壓VCC。
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