[發明專利]一種改善鈍化層表面金屬腐蝕殘留的腐蝕工藝

在審

• 申請號: 202011117109.5
• 申請日: 2020-10-19
• 公開（公告）號: CN112259456A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 陳榮華;王毅
• 申請（專利權）人: 揚州揚杰電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/02
• 代理公司: 揚州市蘇為知識產權代理事務所(普通合伙) 32283
• 代理人: 郭翔

一種改善鈍化層表面金屬腐蝕殘留的腐蝕工藝。涉及一種半導體制造—濕法腐蝕工藝技術領域，尤其涉及一種改善鈍化層表面金屬腐蝕殘留的腐蝕工藝。提供了一種提高產品線條美觀、降低產品過腐蝕導致報廢的高風險的一種改善鈍化層表面金屬腐蝕殘留的腐蝕工藝。本發明中用NIAG腐蝕液取代AL腐蝕液：NIAG腐蝕液的腐蝕速率比AL腐蝕液慢，在保證了產品線條美觀的同時也降低了產品過腐蝕導致報廢的高風險。用NIAG腐蝕液取代AL腐蝕液的前提為保證NIAG腐蝕的過程中，金屬層表面不存在NIO和NI是極易被氧化的金屬，本案在第一次經過PBE腐蝕液后不過水槽，直接進行NIAG腐蝕就避免了NI被氧化的問題。本發明具有提高產品線條美觀、降低產品過腐蝕導致報廢的高風險等特點。

技術領域

本發明涉及一種半導體制造—濕法腐蝕工藝技術領域，尤其涉及一種改善鈍化層表面金屬腐蝕殘留的腐蝕工藝。

背景技術

TSBD（溝槽肖特基）產品，刻蝕SIN（氮化硅層）過程中劃片道內氧化層受影響被輕微過刻蝕導致蒸發至晶片表面的金屬劃片道區域厚度不均勻。腐蝕的過程中金屬NI極易被氧化形成了一層保護膜，阻礙了酸液對金屬的腐蝕。殘留的Ni形成NIO，較難去除。現需要摸索出一種有效的腐蝕工藝，解決金屬殘留的同時保證腐蝕后金屬線條正常。

原金屬腐蝕工藝流程為：

1	2	3	4	5	6	7
NiAg腐蝕液（350s）	第一次過水槽	PBE腐蝕液（20s）	第二次過水槽	EDTA腐蝕液（5s）	第三次過水槽	甩干

原腐蝕工藝流程殘留異常比例較高（如圖2所示，金屬殘留顯微鏡照片），套刻返工生產效率較低，成本較高且加腐AL局部大面積區域產生過腐蝕的風險較高。

發明內容

本發明針對以上問題，提供了一種提高產品線條美觀、降低產品過腐蝕導致報廢的高風險的一種改善鈍化層表面金屬腐蝕殘留的腐蝕工藝。

本發明的技術方案是：一種改善鈍化層表面金屬腐蝕殘留的腐蝕工藝，包括以下步驟：