[發明專利]一種改善鈍化層表面金屬腐蝕殘留的腐蝕工藝在審
| 申請號: | 202011117109.5 | 申請日: | 2020-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN112259456A | 公開(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發明(設計)人: | 陳榮華;王毅 | 申請(專利權)人: | 揚州揚杰電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/3213 | 分類號: | H01L21/3213;H01L21/02 |
| 代理公司: | 揚州市蘇為知識產權代理事務所(普通合伙) 32283 | 代理人: | 郭翔 |
| 地址: | 225008 江蘇省揚*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 鈍化 表面 金屬腐蝕 殘留 腐蝕 工藝 | ||
1.一種改善鈍化層表面金屬腐蝕殘留的腐蝕工藝,其特征在于,包括以下步驟:
1)、將完成金屬光刻的晶片放入NiAg腐蝕液中進行腐蝕,至晶片表面NiAg腐蝕干凈;
2)、將經過步驟1)的晶片放置于水槽中;
3)、將經過步驟2)的晶片放置于PBE腐蝕液中,至晶片表面Ti腐蝕干凈;
4)、將經過步驟3)的晶片放入NiAg腐蝕液中,至晶片表面殘留的Ni腐蝕干凈;
5)、將經過步驟4)的晶片放入水槽中;
6)、將經過步驟5)的晶片放入PBE腐蝕液中,至晶片表面殘留Ni下的Ti腐蝕干凈;
7)、將經過步驟6)的晶片放入水槽中;
8)、通過設備將晶片甩干。
2.根據權利要求1所述的一種改善鈍化層表面金屬腐蝕殘留的腐蝕工藝,其特征在于,步驟1)所述的NiAg腐蝕液為冰乙酸、硝酸和水的混合溶液。
3.根據權利要求2所述的一種改善鈍化層表面金屬腐蝕殘留的腐蝕工藝,其特征在于,所述冰乙酸、硝酸和水的體積比為65%:20%:15%。
4.根據權利要求1所述的一種改善鈍化層表面金屬腐蝕殘留的腐蝕工藝,其特征在于,步驟3)所述的PBE腐蝕液為HNO3, CH3COOH, HF和H2O混合溶液。
5.根據權利要求4所述的一種改善鈍化層表面金屬腐蝕殘留的腐蝕工藝,其特征在于,HNO3,CH3COOH, HF和H2O的體積比為8.9%:3.7%:2.1%:85.3%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





