[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和放大器組件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011111171.3
• 申請日: 2018-11-13
• 公開（公告）號: CN112271171A
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田能村昌宏
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/52;H01L23/528;H01L23/482;H01L23/488;H01L21/60;H01L23/367;H01L23/498;H01L23/66;H03F1/02;H03F3/60
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 李銘;盧吉輝

公開了一種半導(dǎo)體器件和實(shí)現(xiàn)所述半導(dǎo)體器件的放大器組件。所述半導(dǎo)體器件是一種多爾蒂放大器，包括用于多爾蒂放大器的載波放大器的第一晶體管元件和用于峰值放大器的第二晶體管元件。多爾蒂放大器的特征是第一晶體管元件和第二晶體管元件交替地設(shè)置在共用的半導(dǎo)體襯底上。

本申請是基于2018年11月13日提交的、申請?zhí)枮?01811346101.9、發(fā)明創(chuàng)造名稱為“半導(dǎo)體器件和放大器組件”的中國專利申請的分案申請。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求在2017年11月13日提交的日本專利申請JP2017-218488的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，本公開的全部內(nèi)容通過引用合并在此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和實(shí)施該半導(dǎo)體器件的放大器組件。

背景技術(shù)

作為WO2004/100215公布的國際專利申請已經(jīng)公開了一種多爾蒂放大器(Dohertyamplifier)類型的功率放大器，其包括載波放大器和峰值放大器，其中該載波放大器對輸入射頻(RF)信號進(jìn)行線性地操作，而峰值放大器在載波放大器飽和后工作。在其中公開的功率放大器包括額外的峰值放大器以用來增強(qiáng)其最大輸出功率。

另一個(gè)公開的現(xiàn)有專利文獻(xiàn)No.JP2005-303771A公開了一種多爾蒂放大器類型的功率放大器。其中公開的功率放大器在包括載波放大器的場效應(yīng)晶體管(FET)的輸出端提供電路，其中該電路反射來自該場效應(yīng)晶體管的輸出信號中包含的高次諧波。具體地，對于偶次諧波，該電路可以作為短路工作，或者對地面顯示足夠低的阻抗，而對于奇次諧波，該電路可以作為開路工作，或者對地面顯示足夠高的阻抗。包括峰值放大器的另一個(gè)場效應(yīng)晶體管也伴隨有反映場效應(yīng)晶體管的輸出射頻信號中包含的高次諧波的電路。對于偶次諧波，該電路可以作為開路工作，或者對地面顯示足夠高的阻抗；而對于奇次諧波，該電路可以作為短路工作，或者對地面顯示足夠低的阻抗。

還有另一個(gè)公開的日本專利文獻(xiàn)No.JP2015-115960A也公開了一種封裝在提供接地平面的封裝內(nèi)的多爾蒂放大器，載波放大器和峰值放大器并排安裝在接地平面上，其間具有屏蔽壁。屏蔽壁可以減少載波放大器和峰值放大器之間的耦合。

還有另一個(gè)公開的日本專利文獻(xiàn)No.JP2007-274181A公開了一種半導(dǎo)體器件，其提供以之字形圖案配置的多個(gè)半導(dǎo)體器件，以消散在半導(dǎo)體器件中產(chǎn)生的熱量。

從低成本的觀點(diǎn)來看，在通信系統(tǒng)中期望連續(xù)地提高放大器的效率，即，效率的提高不僅能夠節(jié)省放大器本身的功耗，而且能夠節(jié)省放大器冷卻系統(tǒng)的功耗。一種節(jié)省功耗的技術(shù)是所謂的多爾蒂放大器，其包括對輸入信號線性的操作的載波放大器和僅在該載波放大器飽和后工作的峰值放大器。多爾蒂放大器不僅可以提高最大輸出功率的效率，還可以提高中等輸出功率的效率。

隨著傳輸容量的增加，最近的通信系統(tǒng)將其頻帶設(shè)置在毫米波長內(nèi)。可在這樣高頻范圍內(nèi)工作的放大器不可避免地增加功耗。因?yàn)槎酄柕俜糯笃鲀H在高輸入功率時(shí)操作峰值放大器，獨(dú)立于輸入功率始終有效的載波放大器變得暴露在高溫中。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一方面涉及多爾蒂放大器類型的一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件放大射頻(RF)信號。該半導(dǎo)體器件包括多個(gè)第一晶體管元件以及多個(gè)第二晶體元件，所述多個(gè)第一晶體管元件作為多爾蒂放大器的載波放大器共同地工作，所述多個(gè)第二晶體管元件作為多爾蒂放大器的峰值放大器共同地工作。半導(dǎo)體器件的特征是第一晶體管元件和第二晶體管元件彼此相互交替地設(shè)置在共用的半導(dǎo)體襯底上。

本發(fā)明的另一個(gè)方面涉及一種放大射頻信號的放大器組件。該放大器組件包括半導(dǎo)體器件和通過焊料凸塊以面朝下設(shè)置的方式固定所述半導(dǎo)體器件的組件襯底。放大器組件的特征是第一晶體管和第二晶體管元件交替地設(shè)置在在第一晶體管元件和第二晶體管元件共用的半導(dǎo)體襯底上。

附圖說明