[發明專利]半導體器件和放大器組件

在審

• 申請號: 202011111171.3
• 申請日: 2018-11-13
• 公開（公告）號: CN112271171A
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發明（設計）人: 田能村昌宏
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/52;H01L23/528;H01L23/482;H01L23/488;H01L21/60;H01L23/367;H01L23/498;H01L23/66;H03F1/02;H03F3/60
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 李銘;盧吉輝

1.一種多爾蒂放大器類型的半導體器件，其放大射頻信號，所述半導體器件包括：

多個第一晶體管元件，其作為所述多爾蒂放大器的載波放大器工作，

多個第二晶體管元件，其作為所述多爾蒂放大器的峰值放大器工作；

半導體襯底，其上交替地設置有所述多個第一晶體管元件和所述多個第二晶體管元件；以及

布線層，其設置在所述半導體襯底上；

其中，所述布線層包括：

輸入端子，其接收所述射頻信號；

輸出端子，其輸出由所述半導體器件放大的所述射頻信號；

輸入線，其將所述輸入端子與所述多個第一晶體管元件和所述多個第二晶體管元件連接，所述輸入線包括第一輸入線至第三輸入線，所述第一輸入線的一端與所述輸入端子連接并且被均勻地分成第二輸入線和所述第三輸入線，所述第二輸入線從所述第一輸入線分支出來并且與所述多個第一晶體管元件連接，所述第三輸入線從所述第一輸入線分支出來并且與所述多個第二晶體管元件連接，

輸出線，其將所述多個第一晶體管元件和所述多個第二晶體管元件與所述輸出端子連接，所述輸出線包括第一輸出線至第三輸出線，所述第一輸出線的一端將所述第二輸出線與所述第三輸出線組合并且所述第一輸出線的另一端與所述輸出端子連接，所述第二輸出線的一端與所述多個第二晶體管元件連接、并且所述第二輸出線的另一端與所述第一輸出線連接，所述第三輸出線的一端與所述多個第一晶體管元件連接、并且所述第三輸出線的另一端與所述第一輸出線相連；

其中，所述第二輸入線和所述第三輸入線中的一者的一部分通過如下方式與所述第二輸入線和所述第三輸入線中的另一者相交：在與用于所述第二輸入線和所述第三輸入線中的所述另一者的金屬層不同的另一金屬層中形成所述第二輸入線和所述第三輸入線中的所述一者的所述一部分。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述多個第一晶體管元件和所述多個第二晶體管元件交替地設置在所述半導體襯底上。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中，所述第二輸出線和所述第三輸出線中的一者的一部分通過以下方式與所述第二輸出線和所述第三輸出線中的另一者相交：在與用于所述第二輸入線和所述第三輸入線中的所述另一者的金屬層不同的另一金屬層中形成所述第二輸出線和所述第三輸出線中的所述一者的所述一部分。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中，所述布線層包括位于所述金屬層和所述另一金屬層之間的接地層。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，

其中，所述布線層的上表面包括接地島，所述接地層與所述接地島連接。

6.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中，所述多個第一晶體管元件和所述多個第二晶體管元件沿與連接所述輸入端子和所述輸出端子的線相交的方向排列成陣列。

7.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中，所述多個第一晶體管元件和所述多個第二晶體管元件沿與連接所述輸入端子和所述輸出端子的線相交的方向排列成之字形。