[發(fā)明專利]量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法、顯示面板和顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011110885.2 | 申請(qǐng)日： | 2020-10-16 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112103397A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馮靖雯;張宜馳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L51/50 | 分類號(hào)： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人： | 吳俁;姜春咸 |
| 地址： | 100015 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 量子 發(fā)光二極管 及其 制備 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本公開(kāi)提供了一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括：第一電極、第二電極、設(shè)置在第一電極與第二電極之間的量子點(diǎn)發(fā)光層、設(shè)置在量子點(diǎn)發(fā)光層與第一電極之間的至少一層電子傳輸層，以及設(shè)置在最靠近第一電極的電子傳輸層與量子點(diǎn)發(fā)光層之間的電子貢獻(xiàn)層；電子貢獻(xiàn)層的材料包括金屬材料，電子貢獻(xiàn)層配置為在第一電極與第二電極之間電場(chǎng)作用下將金屬表面的自由電子注入至量子點(diǎn)發(fā)光層。本公開(kāi)實(shí)施例還提供了一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法、顯示面板和顯示裝置。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。
背景技術(shù)
量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，簡(jiǎn)稱QLED)通常包括具有多個(gè)量子點(diǎn)納米晶體的發(fā)光層，發(fā)光層夾在電子傳輸層和空穴傳輸層之間。將電場(chǎng)施加到量子點(diǎn)發(fā)光二極管，使電子和空穴移動(dòng)到發(fā)光層中，在發(fā)光層中，電子和空穴被捕獲在量子點(diǎn)中并被重新組合，發(fā)射光子。與有機(jī)發(fā)光二極管相比，量子點(diǎn)發(fā)光二極管的發(fā)射光譜更窄。
發(fā)明內(nèi)容
本公開(kāi)提出了一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。
第一方面，本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括：第一電極、第二電極、設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間的量子點(diǎn)發(fā)光層、設(shè)置在所述量子點(diǎn)發(fā)光層與所述第一電極之間的至少一層電子傳輸層，以及設(shè)置在最靠近所述第一電極的所述電子傳輸層與所述量子點(diǎn)發(fā)光層之間的電子貢獻(xiàn)層；
所述電子貢獻(xiàn)層的材料包括金屬材料，所述電子貢獻(xiàn)層配置為在所述第一電極與所述第二電極之間電場(chǎng)作用下將金屬表面的自由電子注入至所述量子點(diǎn)發(fā)光層。
在一些實(shí)施例中，所述金屬材料的功函數(shù)小于4eV。
在一些實(shí)施例中，所述金屬材料包括：鎂、鋰、銫中的至少一種。
在一些實(shí)施例中，所述電子貢獻(xiàn)層的厚度包括：1nm～100nm。
在一些實(shí)施例中，所述電子傳輸層數(shù)量為1層，所述電子貢獻(xiàn)層位于所述電子傳輸層與所述量子點(diǎn)發(fā)光層之間。
在一些實(shí)施例中，所述電子傳輸層數(shù)量為2層，所述電子貢獻(xiàn)層位于2層所述電子傳輸層之間。
在一些實(shí)施例中，所述量子點(diǎn)發(fā)光層的材料包括：磷化銦量子點(diǎn)、磷化銦衍生的核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)、鎘系藍(lán)光量子點(diǎn)、GaP/ZnSe、CsPbBr3/ZnS中的至少一種；
所述電子傳輸層的材料包括：氧化鋅、氧化鎂鋅、氧化鋁鋅和氧化鎂鋁鋅中的至少一種。
在一些實(shí)施例中，還包括空穴傳輸層和空穴注入層；
所述空穴傳輸層位于所述第二電極與所述量子點(diǎn)發(fā)光層之間，所述空穴注入層位于所述第二電極與所述空穴傳輸層之間。
第二方面，本公開(kāi)實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括：如上述第一方面提供的量子點(diǎn)發(fā)光二極管。
第三方面，本公開(kāi)實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括：如上述第二方面提供的量子點(diǎn)發(fā)光二極管。
第四方面，本公開(kāi)實(shí)施例還提供了一種如第一方面所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，包括：
形成第一電極、第二電極、量子點(diǎn)發(fā)光層、至少一層電子傳輸層和電子貢獻(xiàn)層，所述量子點(diǎn)發(fā)光層位于所述第一電極和第二電極之間，所述電子傳輸層位于所述第一電極與所述量子點(diǎn)發(fā)光層之間，電子貢獻(xiàn)層位于最靠近所述第一電極的所述電子傳輸層與所述量子點(diǎn)發(fā)光層之間；
其中，所述電子貢獻(xiàn)層的材料包括金屬材料，所述電子貢獻(xiàn)層配置為在所述第一電極與所述第二電極之間電場(chǎng)作用下將金屬表面的自由電子注入至所述量子點(diǎn)發(fā)光層。
在一些實(shí)施例中，所述電子傳輸層數(shù)量為1層；
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
