[發明專利]量子點發光二極管及其制備方法、顯示面板和顯示裝置

在審

• 申請號: 202011110885.2
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112103397A
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 馮靖雯;張宜馳
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 吳俁;姜春咸

1.一種量子點發光二極管，其特征在于，包括：第一電極、第二電極、設置在所述第一電極與所述第二電極之間的量子點發光層、設置在所述量子點發光層與所述第一電極之間的至少一層電子傳輸層，以及設置在最靠近所述第一電極的所述電子傳輸層與所述量子點發光層之間的電子貢獻層；

所述電子貢獻層的材料包括金屬材料，所述電子貢獻層配置為在所述第一電極與所述第二電極之間電場作用下將金屬表面的自由電子注入至所述量子點發光層。

2.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述金屬材料的功函數小于4eV。

3.根據權利要求2所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述金屬材料包括：鎂、鋰、銫中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述電子貢獻層的厚度包括：1nm～100nm。

5.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述電子傳輸層數量為1層，所述電子貢獻層位于所述電子傳輸層與所述量子點發光層之間。

6.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述電子傳輸層數量為2層，所述電子貢獻層位于2層所述電子傳輸層之間。

7.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述量子點發光層的材料包括：磷化銦量子點、磷化銦衍生的核殼結構量子點、鎘系藍光量子點、GaP/ZnSe、CsPbBr₃/ZnS中的至少一種；

所述電子傳輸層的材料包括：氧化鋅、氧化鎂鋅、氧化鋁鋅和氧化鎂鋁鋅中的至少一種。

8.根據權利要求1至7中任一所述的量子點發光二極管，其特征在于，還包括空穴傳輸層和空穴注入層；

所述空穴傳輸層位于所述第二電極與所述量子點發光層之間，所述空穴注入層位于所述第二電極與所述空穴傳輸層之間。

9.一種顯示面板，其特征在于，包括：如上述權利要求1至8中任一所述的量子點發光二極管。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括：如上述權利要求9中所述的顯示面板。

11.一種如權利要求1至8中任一所述量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，包括：

形成第一電極、第二電極、量子點發光層、至少一層電子傳輸層和電子貢獻層，所述量子點發光層位于所述第一電極和第二電極之間，所述電子傳輸層位于所述第一電極與所述量子點發光層之間，電子貢獻層位于最靠近所述第一電極的所述電子傳輸層與所述量子點發光層之間；

其中，所述電子貢獻層的材料包括金屬材料，所述電子貢獻層配置為在所述第一電極與所述第二電極之間電場作用下將金屬表面的自由電子注入至所述量子點發光層。

12.根據權利要求11所述的量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，所述電子傳輸層數量為1層；

形成第一電極、第二電極、量子點發光層、至少一層電子傳輸層和電子貢獻層的步驟包括：

形成第一電極；

在所述第一電極的一側形成電子傳輸層；

在所述電子傳輸層背向所述第一電極的一側形成電子貢獻層；

在所述電子貢獻層背向所述電子傳輸層的一側形成量子點發光層；

在所述量子點發光層背向所述電子貢獻層的一側形成所述第二電極；

或者，形成第二電極；

在所述第二電極的一側形成量子點發光層；

在所述量子點發光層背向所述第二電極的一側形成所述電子貢獻層；

在所述電子貢獻層背向所述量子點發光層的一側形成電子傳輸層；

在所述電子傳輸層背向所述電子貢獻層的一側形成第一電極。

13.根據權利要求11所述的量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，所述電子傳輸層數量為2層且分別為第一電子傳輸層和第二電子傳輸層，所述第一電子傳輸層比所述第二電子傳輸層更靠近所述第一電極；

形成第一電極、第二電極、量子點發光層、至少一層電子傳輸層和電子貢獻層的步驟包括：

形成第一電極；

在所述第一電極的一側形成第一電子傳輸層；

在所述第一電子傳輸層背向所述第一電極的一側形成電子貢獻層；

在所述電子貢獻層背向所述第一電子傳輸層的一側形成第二電子傳輸層；

在所述第二電子傳輸層背向所述電子貢獻層的一側形成量子點發光層；

在所述量子點發光層背向所述第二電子傳輸層的一側形成所述第二電極；

或者，形成第二電極；

在所述第二電極的一側形成量子點發光層；

在所述量子點發光層背向所述第二電極的一側形成所述第二電子傳輸層；

在所述第二電子傳輸層背向所述量子點發光層的一側形成電子貢獻層；

在所述電子貢獻層背向所述第二電子傳輸層的一側形成第一電子傳輸層；

在所述第一電子傳輸層背向所述電子貢獻層的一側形成第一電極。