[發(fā)明專利]集成電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011110451.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112687678A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-04-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡慶威;黃禹軒;程冠倫;李韋儒;鄭存甫;吳忠緯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/02 | 分類號(hào): | H01L27/02;H01L27/06;H01L21/822 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 閆華;傅磊 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路 | ||
1.一種集成電路,包括:
一電路,形成于一半導(dǎo)體基底上;以及
一去耦電容元件,形成于該半導(dǎo)體基底上并與該電路整合,其中該去耦電容元件包括一場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其還包括:
一源極和一漏極,透過(guò)接觸部件連接,其接觸部件分別坐落在該源極和該漏極上,
一柵極堆疊,于一通道上方并插入該源極和該漏極之間,以及
一摻雜部件,設(shè)置于該通道下方并連接至該源極和該漏極,其中該摻雜部件以該源極和該漏極相同類型的雜質(zhì)摻雜。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





