[發明專利]氧化物半導體薄膜測試裝置

在審

• 申請號: 202011109735.X
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112824883A
• 公開（公告）日: 2021-05-21
• 發明（設計）人: 樸瑨哲;柳賢雨
• 申請（專利權）人: 亞威科股份有限公司
• 主分類號: G01N27/04
• 分類號: G01N27/04;G01R27/08
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 姜虎;陳英俊

本發明涉及一種氧化物半導體薄膜測試裝置，包括：接觸部，用于與氧化物半導體薄膜接觸；電壓施加部，與所述接觸部連接，通過所述接觸部向所述氧化物半導體薄膜施加測試電壓，所述測試電壓從預設的初始電壓升高至預設的最大電壓之后再次降低至所述初始電壓；電流測量部，用于測量對所述氧化物半導體薄膜施加所述測試電壓時的測試電流；以及計算部，在所述測試電壓以從所述初始電壓升高至所述最大電壓之后再次降低至所述初始電壓的方式施加于所述氧化物半導體薄膜的過程中，利用由所述電壓施加部施加于所述氧化物半導體薄膜的測試電壓和由所述電流測量部按照不同的所述測試電壓分別測量的測試電流，計算所述氧化物半導體薄膜的電特性值。

技術領域

本發明涉及用于測試氧化物半導體薄膜的電特性等的氧化物半導體薄膜測試裝置。

背景技術

氧化物半導體(Oxide Semiconductor)是一種由金屬氧化物制成的半導體，可以在制造顯示器、太陽能電池(Solar Cell)等的過程中蒸鍍到基板上，形成氧化物半導體薄膜。

例如，由銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、氧(O)組成的銦鎵氧化鋅(IGZO)可以在制造顯示器的薄膜晶體管(TFT)的過程中被蒸鍍到基板上，形成氧化物半導體薄膜。

以往是在蒸鍍有除氧化物半導體薄膜以外的由其他材料組成的多種薄膜的狀態下對氧化物半導體薄膜測試了電特性。因此，以往存在的問題在于，因氧化物半導體薄膜與其他多種薄膜之間的相互作用而難以測試氧化物半導體薄膜自身的電特性并且測試結果的準確性低。

發明內容

技術問題

本發明為了解決上述技術問題而被提出，旨在提供一種氧化物半導體薄膜測試裝置，所述氧化物半導體薄膜測試裝置能夠消除測試氧化物半導體薄膜自身的電特性的操作中存在的困難并提高測試結果的準確性。

技術方案

為了解決上述技術問題，本發明可以包括如下構成。

本發明的氧化物半導體薄膜測試裝置可以包括：接觸部，用于與氧化物半導體薄膜接觸；電壓施加部，與所述接觸部連接，通過所述接觸部向所述氧化物半導體薄膜施加測試電壓，所述測試電壓從預設的初始電壓升高至預設的最大電壓之后再次降低至所述初始電壓；電流測量部，用于測量對所述氧化物半導體薄膜施加所述測試電壓時的測試電流；以及計算部，在所述測試電壓以從所述初始電壓升高至所述最大電壓之后再次降低至所述初始電壓的方式施加于所述氧化物半導體薄膜的過程中，利用由所述電壓施加部施加于所述氧化物半導體薄膜的測試電壓以及由所述電流測量部按照不同的所述測試電壓分別測量的測試電流，計算所述氧化物半導體薄膜的電特性值。

有益效果

本發明具有以下效果。

本發明能夠計算出與氧化物半導體薄膜的電特性存在相關關系的電特性值，從而測試氧化物半導體薄膜自身的電特性。因此，本發明能夠方便地進行測試氧化物半導體薄膜自身的電特性的操作，并提高對氧化物半導體薄膜自身的電特性的測試結果的準確性。

附圖說明

圖1是本發明的氧化物半導體薄膜測試裝置的概略構成圖。

圖2是關于本發明的氧化物半導體薄膜測試裝置對氧化物半導體薄膜的測試結果中的測試電壓和測試電流的圖表。

圖3是用于描述本發明的氧化物半導體薄膜測試裝置以單位電壓為調節單位調節測試電壓的方式的圖表。

圖4是為了描述本發明的氧化物半導體薄膜測試裝置計算出閾值電壓的過程而將圖2中的A部分放大示出的圖表。

圖5是為了描述本發明的氧化物半導體薄膜測試裝置計算出電導和轉換電壓的過程而將圖2中的B部分放大示出的圖表。