[發明專利]氧化物半導體薄膜測試裝置

在審

• 申請號: 202011109735.X
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112824883A
• 公開（公告）日: 2021-05-21
• 發明（設計）人: 樸瑨哲;柳賢雨
• 申請（專利權）人: 亞威科股份有限公司
• 主分類號: G01N27/04
• 分類號: G01N27/04;G01R27/08
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 姜虎;陳英俊

1.一種氧化物半導體薄膜測試裝置，其特征在于，包括：

接觸部，用于與氧化物半導體薄膜接觸；

電壓施加部，與所述接觸部連接，通過所述接觸部向所述氧化物半導體薄膜施加測試電壓，所述測試電壓從預設的初始電壓升高至預設的最大電壓之后再次降低至所述初始電壓；

電流測量部，用于測量對所述氧化物半導體薄膜施加所述測試電壓時的測試電流；以及

計算部，在所述測試電壓以從所述初始電壓升高至所述最大電壓之后再次下降至所述初始電壓的方式施加于所述氧化物半導體薄膜的過程中，利用由所述電壓施加部施加于所述氧化物半導體薄膜的測試電壓以及由所述電流測量部按照不同的所述測試電壓分別測量的測試電流，計算所述氧化物半導體薄膜的電特性值。

2.根據權利要求1所述的氧化物半導體薄膜測試裝置，其特征在于，

所述電壓施加部包括：

電壓產生模塊，用于產生電壓；以及

電壓調節模塊，使所述電壓產生模塊產生的電壓在相當于負電壓的所述初始電壓與相當于正電壓的所述最大電壓之間變動，從而生成所述測試電壓。

3.根據權利要求2所述的氧化物半導體薄膜測試裝置，其特征在于，

所述電壓調節模塊以預設的單位電壓為調節單位，使所述電壓產生模塊產生的電壓在所述初始電壓與所述最大電壓之間變動。

4.根據權利要求3所述的氧化物半導體薄膜測試裝置，其特征在于，

所述電壓調節模塊以5V以下的所述單位電壓為調節單位，調節所述電壓產生模塊產生的電壓。

5.根據權利要求1所述的氧化物半導體薄膜測試裝置，其特征在于，

所述接觸部包括：第一接觸部件，與所述氧化物半導體薄膜接觸；以及第二接觸部件，在從所述第一接觸部件隔開的位置上與所述氧化物半導體薄膜接觸，

所述電壓施加部通過與所述氧化物半導體薄膜接觸的所述第一接觸部件和所述第二接觸部件向所述氧化物半導體薄膜施加所述測試電壓，

所述電流測量部通過與所述氧化物半導體薄膜接觸的所述第一接觸部件和所述第二接觸部件測量所述測試電流。

6.根據權利要求5所述的氧化物半導體薄膜測試裝置，其特征在于，

包括降壓部，所述降壓部向所述氧化物半導體薄膜施加降壓電壓，從而產生電場，

以所述氧化物半導體薄膜為基準，所述降壓部與所述接觸部配置于彼此相反的兩側。

7.根據權利要求6所述的氧化物半導體薄膜測試裝置，其特征在于，

所述第一接觸部件與所述第二接觸部件配置成沿第一軸方向隔開第一距離，

所述降壓部形成為，以所述第一軸方向為基準，與所述第一距離等長，或以所述第一軸方向為基準，比所述第一距離更長。

8.根據權利要求5所述的氧化物半導體薄膜測試裝置，其特征在于，

包括光照射部，所述光照射部照射用于提高所述氧化物半導體薄膜的電流活度的激勵光，

所述光照射部朝向位于所述第一接觸部件與所述第二接觸部件之間的氧化物半導體薄膜的部分照射所述激勵光。

9.根據權利要求8所述的氧化物半導體薄膜測試裝置，其特征在于，

所述第一接觸部件與所述第二接觸部件沿第一軸方向隔開，

以所述第一軸方向為基準，所述光照射部配置在分別與所述第一接觸部件和所述第二接觸部件隔開相同距離的位置上。

10.根據權利要求8所述的氧化物半導體薄膜測試裝置，其特征在于，

包括配置于所述第一接觸部件與所述第一接觸部件之間的受光部，

以所述氧化物半導體薄膜為基準，所述接觸部與所述光照射部配置于彼此相反的兩側，

所述受光部測量透過所述氧化物半導體薄膜而接收到的激勵光中的預設的波長范圍的強度，從而獲取所述氧化物半導體薄膜的厚度。