[發明專利]一種固態硬盤老化產生壞塊的解析方法、裝置

在審

• 申請號: 202011109054.3
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112216338A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 杜賓
• 申請（專利權）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 李舜江

本發明提供一種固態硬盤老化產生壞塊的解析方法、裝置，所述的方法包括如下步驟：老化測試過程將壞塊信息存儲于存儲器；將存放壞塊的存儲器進行地址劃分；按劃分的地址分塊提取壞塊信息；將提取的壞塊信息按照壞塊結構進行解析；將解析后的壞塊信息寫入數據庫。該方法用于SSD生產階段FT2工站解析壞塊信息，快速定位故障顆粒位置，減少了故障盤維修時間和測試成本。

技術領域

本發明涉及固態硬盤老化測試技術領域，具體涉及一種固態硬盤老化產生壞塊的解析方法、裝置。

背景技術

隨著NVME(Non-Volatile Memory express,是一種建立在M.2接口上的類似AHCI的一種協議,是專門為閃存類存儲設計的協議。)硬盤在服務器領域的廣泛應用，NVMe標準可以帶來多方面的性能提升，而NVME硬盤作為PCIe通道的SSD，其規范勢必在未來慢慢取代現在的AHCI標準SSD。其中PCIE是PCI-Express，即peripheral component interconnectexpress的縮寫，是一種高速串行計算機擴展總線標準；SSD是Solid State Drives的縮寫，是固態硬盤，簡稱固盤；AHCI是Serial ATA Advanced Host Controller Interface的縮寫，意思是串行ATA高級主控接口/高級主機控制器接口。

固態硬盤主要的存儲單元NAND Block都有擦寫次數的限制，當超過這個次數時，該Block可能就不能用了：浮柵極充不進電子(寫失敗)，或者浮柵極的電子很容易就跑出來(比特翻轉，0-1)，或者浮柵極里面的電子跑不出來(擦除失敗)。這個最大擦寫次數按SLC,MLC,TLC依次遞減：SLC的擦寫次數可達十萬次，MLC一般為幾千到幾萬，TLC降到幾百到幾千。對于無效的nand顆粒需要在生產端及時做攔截和替換，以免流入市場。SLC＝Single-Level Cell，即1bit per cell，只存在0和1兩個充電值，結構簡單但是執行效率高。SLC閃存的優點是傳輸速度更快，功率消耗更低和存儲單元的壽命更長。然而，由于每個存儲單元包含的信息較少，其每百萬字節需花費較高的成本來生產，由于成本過高你基本上只會在高端的企業級SSD上見到它，流入到消費級平臺上的基本都是非原封的。MLC＝Multi-LevelCell，即2bit per cell，有00,01,10,11四個充電值，因此需要比SLC更多的訪問時間，不過每個單元可以存放比SLC多一倍的數據。MLC閃存可降低生產成本，但與SLC相比其傳輸速度較慢，現在大多數消費級SSD都是使用MLC做的。TLC＝Trinary-Level Cell，即3bit percell，每個單元可以存放比MLC多1/2的數據，共八個充電值，所需訪問時間更長，因此傳輸速度更慢。TLC優勢價格便宜，每百萬字節生產成本是最低的，但是壽命短，通常用在U盤或者存儲卡這類移動存儲設備上。

針對高性能NVME固態硬盤需經歷FT1工站(硬件自檢，燒寫固件，燒寫SN等)、BIST工站(核心元器件老化和篩選測試)和FT2工站(用戶固件燒錄、IO測試和系統測試)測試通過后方可出貨，BIST工站對硬盤部件nand和ddr進行老化，對nand和ddr進行篩選，對于不符合標準的nand顆粒標記為壞塊，將記錄的壞塊信息存放在eeprom中，在FT2工站對eeprom中壞塊信息進行解析和匯總，如何快速攔截和定位壞塊位置是本發明需要解決的問題。

發明內容

針對如何快速攔截和定位壞塊位置的問題，本發明提供一種固態硬盤老化產生壞塊的解析方法、裝置。

本發明的技術方案是：

一方面，本發明技術方案提供一種固態硬盤老化產生壞塊的解析方法，包括如下步驟：

老化測試過程將壞塊信息存儲于存儲器；

將存放壞塊的存儲器進行地址劃分；

按劃分的地址分塊提取壞塊信息；

將提取的壞塊信息按照壞塊結構進行解析；