[發明專利]集成電路結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202011107459.3
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112687671A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 余振華;張維麟;王垂堂;陳頡彥
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L21/98;H01L23/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成電路結構，包括：

處理器器件，包括邏輯器件；

第一存儲器器件，通過金屬至金屬接合和電介質至電介質接合而直接面對面地接合至所述處理器器件；

第一介電層，橫向地圍繞所述第一存儲器器件；

再分布結構，位于所述第一介電層和所述第一存儲器器件上方，所述再分布結構包括金屬化圖案；以及

第一導電通孔，延伸穿過所述第一介電層的，所述第一導電通孔將所述再分布結構的金屬化圖案連接至所述處理器器件。

2.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述再分布結構的金屬化圖案連接至所述第一存儲器器件。

3.根據權利要求2所述的集成電路結構，還包括：

無源器件，通過金屬至金屬接合和電介質至電介質接合而直接面對面地接合至所述處理器器件，所述第一介電層橫向地圍繞所述無源器件，所述再分布結構的金屬化圖案連接至所述無源器件。

4.根據權利要求1所述的集成電路結構，還包括：

第二存儲器器件，通過金屬至金屬接合和電介質至電介質接合而直接面對背地接合至所述第一存儲器器件，所述再分布結構的金屬化圖案連接至所述第二存儲器器件；

第二導電通孔，延伸穿過所述第一介電層，所述第二導電通孔將所述第二存儲器器件連接至所述處理器器件；以及

第二介電層，橫向地圍繞所述第二存儲器器件，所述第一導電通孔延伸穿過所述第二介電層。

5.根據權利要求4所述的集成電路結構，還包括：

無源器件，通過金屬至金屬接合和電介質至電介質接合而直接面對面地接合至所述處理器器件，所述第一介電層橫向地圍繞所述無源器件；以及

第三導電通孔，延伸穿過所述第二介電層，所述第三導電通孔將再分布結構連接至所述無源器件。

6.根據權利要求1所述的集成電路結構，還包括：

第二存儲器器件，通過金屬至金屬接合和電介質至電介質接合而直接面對背地接合至所述第一存儲器器件；

第二導電通孔，延伸穿過所述第一介電層，所述第二導電通孔將所述第二存儲器器件連接至所述處理器器件；

第二介電層，橫向地圍繞所述第二存儲器器件，所述第一導電通孔延伸穿過所述第二介電層；

第三存儲器器件，通過金屬至金屬接合和電介質至電介質接合而直接面對背地接合至所述第二存儲器器件，所述再分布結構連接至所述第三存儲器器件；以及

第三介電層，橫向地圍繞所述第三存儲器器件，所述第一導電通孔延伸穿過所述第三介電層。

7.根據權利要求6所述的集成電路結構，還包括：

無源器件，通過金屬至金屬接合和電介質至電介質接合而直接面對面地接合至所述處理器器件，所述第一介電層橫向地圍繞所述無源器件；以及

第三導電通孔，延伸穿過所述第二介電層和所述第三介電層，所述第三導電通孔將所述再分布結構連接至所述無源器件。

8.根據權利要求1所述的集成電路結構，還包括：

封裝襯底；以及

導電連接件，將所述封裝襯底連接至所述再分布結構。

9.一種集成電路結構，包括：

處理器器件，具有前側；

第一存儲器器件，具有前側和與前側相對的背側，所述第一存儲器器件的前側通過金屬至金屬接合和電介質至電介質接合而連接至所述處理器器件的前側；

第一介電層，橫向地圍繞所述第一存儲器器件；

第一導電通孔，延伸穿過所述第一介電層，所述第一導電通孔連接至所述處理器器件的前側；

第二存儲器器件，具有前側和與前側相對的背側，所述第二存儲器器件的前側通過金屬至金屬接合而連接至所述第一導電通孔和所述第一存儲器器件的背側，所述第二存儲器器件的前側通過電介質至電介質接合而連接至所述第一介電層和所述第一存儲器器件的背側，所述第一存儲器器件是與所述第二存儲器器件不同類型的存儲器器件；以及

所述第二介電層橫向地圍繞所述第二存儲器器件。

10.一種形成集成電路結構的方法，包括：

將第一存儲器器件接合至晶圓，所述晶圓包括處理器器件，所述第一存儲器器件包括第一導電通孔；以及

在所述第一存儲器器件周圍形成第一介電層；

在所述第一介電層中圖案化第一開口，所述第一開口暴露所述處理器器件的管芯連接件；

在所述第一開口中和所述管芯連接件上鍍導電材料；

平坦化所述導電材料以在所述第一開口中形成第二導電通孔，所述平坦化暴露所述第一存儲器器件的第一導電通孔；以及

鋸切所述第一介電層和所述晶圓，以分割所述處理器器件。