[發明專利]通信電路與電子設備

有效

• 申請號: 202011107172.0
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112260680B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 黃雷
• 申請（專利權）人: 上海爻火微電子有限公司
• 主分類號: H03K19/0175
• 分類號: H03K19/0175
• 代理公司: 上海慧晗知識產權代理事務所(普通合伙) 31343
• 代理人: 王葉娟

1.一種通信電路，其特征在于，所述通信電路具有電源輸入引腳和中斷引腳；所述電源輸入引腳通過第一開關連接第一處理器的第一IO口；所述中斷引腳連接第二處理器的第二IO口；所述通信電路包括：通信通道、命令檢測模塊以及控制模塊；

所述通信通道連接在所述電源輸入引腳和中斷引腳之間；

所述命令檢測模塊的輸入端連接所述電源輸入引腳，所述命令檢測模塊的輸出端連接所述控制模塊，所述命令檢測模塊用于：在檢測到所述電源輸入引腳接收到來自所述第一IO口輸出的邏輯控制命令時，向所述控制模塊輸出第一通知信號；

所述控制模塊的輸出端連接所述開關電路，所述控制模塊用于：響應于所述第一通知信號而控制所述通信通道可通信，以通過所述電源輸入引腳、通信通道與中斷引腳實現所述第一IO口與所述第二IO口之間的通信；

所述通信通道包括NMOS晶體管；所述NMOS晶體管的控制端連接所述控制模塊的輸出端；所述NMOS晶體管的除控制端之外的第一端連接所述電源輸入引腳、第二端連接所述中斷引腳；

所述第一IO口通過電阻連接第一電源，所述第二IO口通過電阻連接第二電源；所述第一電源和第二電源的電平相同或不同；

所述控制模塊在響應于所述第一通知信號而控制所述通信通道可通信時，進一步用于：將所述第一電源和第二電源的電平中較低的電平輸出至所述NMOS晶體管的控制端以控制所述NMOS晶體管間歇性導通，以使所述通信通道可通信。

2.如權利要求1所述的通信電路，其特征在于，所述電源輸入引腳還通過第二開關連接輸入電源；

所述命令檢測模塊還用于：在檢測到所述電源輸入引腳接收到來自所述第一處理器的第一IO口發送的用于指示關斷通信回歸到電源輸入模式的控制命令時，向所述控制模塊輸出第二通知信號；

所述控制模塊還用于：響應于所述第二通知信號而控制所述通信通道不可通信，以禁止通過所述通信通道實現所述第一IO口與所述第二IO口之間的通信。

3.如權利要求1所述的通信電路，其特征在于，

所述通信通道還包括PMOS晶體管；

所述PMOS晶體管的控制端連接所述控制模塊的輸出端；所述PMOS晶體管的除控制端之外的第一端連接所述電源輸入引腳、第二端連接所述中斷引腳；

所述第一IO口通過電阻連接第一電源，所述第二IO口通過電阻連接第二電源；

在所述第一電源和第二電源的電平相同的情況下，所述控制模塊在響應于所述第一通知信號而控制所述通信通道可通信時，進一步用于：將所述第一電源和第二電源的電平中較低的電平輸出至所述NMOS晶體管的控制端以控制所述NMOS晶體管間歇性導通，并控制所述PMOS晶體管導通，以使所述通信通道可通信；

在所述第一電源和第二電源的電平不同的情況下，所述控制模塊在響應于所述第一通知信號而控制所述通信通道可通信時，進一步用于：將所述第一電源和第二電源的電平中較低的電平輸出至所述NMOS晶體管的控制端以控制所述NMOS晶體管間歇性導通，并將所述通信電路所支持的供電電平、所述NMOS晶體管兩端的電平中最高的電平輸出至所述PMOS晶體管的控制端以控制所述PMOS晶體管關斷，以使所述通信通道可通信。

4.如權利要求1或3所述的通信電路，其特征在于，

所述NMOS晶體管間歇性導通進一步為：

所述NMOS晶體管在所述第一IO口輸出的信號為高電平時關斷、為低電平時導通。

5.如權利要求3所述的通信電路，其特征在于，

所述控制模塊還用于：

將所述供電電平、所述NMOS晶體管兩端的電平中最高的電平輸出至所述PMOS晶體管的襯底；

將地電平、所述NMOS晶體管兩端的電平中最低的電平輸出至所述NMOS晶體管的襯底。

6.如權利要求1所述的通信電路，其特征在于，

所述第一IO口為數據發送口、所述第二IO口為數據接收口，所述第一IO口通過二極管與所述第一處理器的數據接收口連接，所述第二處理器的數據發送口通過二極管與所述第二IO口連接。