[發明專利]光伏電池的制備方法

有效

• 申請號: 202011104361.2
• 申請日: 2020-10-15
• 公開（公告）號: CN112259638B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發明（設計）人: 楊潔;鄭霈霆;張昕宇;孫海杰;金浩
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/042
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

本發明實施例提供一種光伏電池的制備方法，包括：提供半導體基材；在所述半導體基材上形成初級鈍化接觸結構；形成所述初級鈍化接觸結構后，在所述半導體基材上形成電極；形成所述電極后，對所述電極以及所述初級鈍化接觸結構進行燒結處理，以激活所述初級鈍化接觸結構形成鈍化接觸結構。本發明實施例提供的光伏電池的制備方法將鈍化接觸結構的激活以及電極的燒結集成在同一工藝中，能夠簡化生產工藝，降低生產成本。

技術領域

本發明實施例涉及太陽能領域，特別涉及一種光伏電池的制備方法。

背景技術

光伏電池用于把太陽的光能直接轉化為電能。目前地面光伏系統大量使用的是以硅為基底的硅太陽能電池。硅太陽能電池主要包括：包括鈍化發射極背面局部場接觸電池、交叉指式背接觸電池、硅異質結電池、交叉指式背接觸異質結電池、鈍化接觸電池等。

目前，鈍化接觸電池因其優異的全表面鈍化和載流子選擇性，被認為是綜合性能最優的晶硅電池之一。鈍化接觸電池能夠完全避免激光開孔工藝，投資成本低，適于大規模工業生產。

然而，現有光伏電池的制備過程仍然較為復雜。

發明內容

本發明實施例解決的技術問題為提供一種光伏電池的制備方法，解決光伏電池的制備過程較為復雜的問題。

為解決上述問題，本發明實施例提供一種光伏電池的制備方法，包括：提供半導體基材；在所述半導體基材上形成初級鈍化接觸結構；形成所述初級鈍化接觸結構后，在所述半導體基材上形成電極；形成所述電極后，對所述電極以及所述初級鈍化接觸結構進行燒結處理，以激活所述初級鈍化接觸結構形成鈍化接觸結構。

另外，所述燒結處理具有最高溫度區間，且所述最高溫度區間的溫度為700℃-1000℃。

另外，形成所述初級鈍化接觸結構的步驟包括：在所述半導體基材上形成隧穿層；在所述隧穿層上形成硅層，所述硅層內具有N型摻雜離子或者P型摻雜離子；所述燒結處理具有最高溫度區間，且所述最高溫度區間的溫度隨著所述隧穿層的厚度的增加而升高。

另外，所述隧穿層的厚度為0.5nm-1nm，且所述最高溫度區間的溫度為700℃-850℃，在所述最高溫度區間的加熱時間為30s-10min。

另外，所述隧穿層的厚度為1nm-1.5nm，且所述最高溫度區間為750℃-950℃，在所述最高溫度區間的加熱時間為1min-20min。

另外，所述最高溫度區間的溫度還隨著所述硅層的厚度的增加而升高。

另外，所述硅層的厚度為40nm-150nm，且所述最高溫度區間為700℃-900℃，在所述最高溫度區間的加熱時間為30s-10min。

另外，所述硅層的厚度為150nm-300nm，且所述最高溫度區間為800℃-1000℃，在所述最高溫度區間的加熱時間為5min-30min。

另外，所述隧穿層的材料包括氧化硅。

另外，采用鏈式退火工藝進行所述燒結處理；所述鏈式退火的工藝區包括：上料區、低溫區、中溫區、高溫區、最高溫區以及下料區；所述低溫區的溫度為400℃-600℃，所述中溫區的溫度為500℃-700℃，所述高溫區的溫度為600℃-700℃，所述最高溫區的溫度為700℃-1000℃；且所述低溫區、所述中溫區、所述高溫區及所述最高溫區的溫度依次升高。

與現有技術相比，本發明實施例提供的技術方案具有以下優點：

在半導體基材上形成初級鈍化接觸結構，形成初級鈍化接觸結構后，形成電極；形成電極后，對電極以及初級鈍化接觸結構進行燒結處理，以激活初級鈍化接觸結構形成鈍化接觸結構。因此，本發明實施例能夠將初級鈍化接觸結構的激活過程與電極燒結集成在同一工藝步驟中，從而簡化生產過程，降低生產的難度，降低生產成本。