[發明專利]光伏電池的制備方法有效
| 申請號: | 202011104361.2 | 申請日: | 2020-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN112259638B | 公開(公告)日: | 2023-09-19 |
| 發明(設計)人: | 楊潔;鄭霈霆;張昕宇;孫海杰;金浩 | 申請(專利權)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 314416 浙江省嘉興市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電池 制備 方法 | ||
1.一種光伏電池的制備方法,其特征在于,包括:
提供半導體基材;
在所述半導體基材上形成初級鈍化接觸結構;
形成所述初級鈍化接觸結構后,在所述半導體基材上形成電極,形成所述電極前不對所述初級鈍化接觸結構進行激活;
形成所述電極后,同時對所述電極以及所述初級鈍化接觸結構進行燒結處理,以激活所述初級鈍化接觸結構形成鈍化接觸結構,以將所述初級鈍化接觸結構的激活過程與電極燒結集成在同一工藝步驟中;
形成所述初級鈍化接觸結構的步驟包括:在所述半導體基材上形成隧穿層;在所述隧穿層上形成硅層,所述硅層內具有N型摻雜離子或者P型摻雜離子;所述燒結處理具有最高溫度區間,且所述最高溫度區間的溫度隨著所述隧穿層的厚度的增加而升高;
所述隧穿層的厚度為1nm-1.5nm,且所述最高溫度區間為750℃-950℃,在所述最高溫度區間的加熱時間為1min-20min。
2.根據權利要求1所述的光伏電池的制備方法,其特征在于,所述最高溫度區間的溫度還隨著所述硅層的厚度的增加而升高。
3.根據權利要求2所述的光伏電池的制備方法,其特征在于,所述硅層的厚度為40nm-150nm,且所述最高溫度區間為700℃-900℃,在所述最高溫度區間的加熱時間為30s-10min。
4.根據權利要求2所述的光伏電池的制備方法,其特征在于,所述硅層的厚度為150nm-300nm,且所述最高溫度區間為800℃-1000℃,在所述最高溫度區間的加熱時間為5min-30min。
5.根據權利要求1所述的光伏電池的制備方法,其特征在于,所述隧穿層的材料包括氧化硅。
6.根據權利要求1所述的光伏電池的制備方法,其特征在于,采用鏈式退火工藝進行所述燒結處理;所述鏈式退火的工藝區包括:上料區、低溫區、中溫區、高溫區、最高溫區以及下料區;所述低溫區的溫度為400℃-600℃,所述中溫區的溫度為500℃-700℃,所述高溫區的溫度為600℃-700℃,所述最高溫區的溫度為700℃-1000℃;且所述低溫區、所述中溫區、所述高溫區及所述最高溫區的溫度依次升高。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





