[發(fā)明專(zhuān)利]具有低電感連接特征的電容器和電子模塊組件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011103942.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112951605B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | T·M·賴(lài)特爾;K·尼克拉斯 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 英飛凌科技股份有限公司;東電化電子股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01G4/33 | 分類(lèi)號(hào): | H01G4/33;H01G4/228;H01G4/018;H01G9/008;H01G9/07;H01G4/40;H01G9/28 |
| 代理公司: | 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 鄔少俊 |
| 地址: | 德國(guó)瑙伊*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 電感 連接 特征 電容器 電子 模塊 組件 | ||
一種電容器包括:電絕緣殼體,所述電絕緣殼體包圍內(nèi)部體積;第一導(dǎo)電連接焊盤(pán)和第二導(dǎo)電連接焊盤(pán),所述第一導(dǎo)電連接焊盤(pán)和所述第二導(dǎo)電連接焊盤(pán)均被配置作為到設(shè)置在所述殼體內(nèi)的所述電容器的內(nèi)部電極的電接觸部的外部可接入點(diǎn);以及有源電容器電介質(zhì)材料,所述有源電容器電介質(zhì)材料設(shè)置在所述殼體內(nèi)并且被配置作為所述內(nèi)部電極之間的電介質(zhì)介質(zhì);所述第一導(dǎo)電連接焊盤(pán)具有基本上平行于所述殼體的第一側(cè)壁的第一平面接觸表面,所述第二導(dǎo)電連接焊盤(pán)具有基本上平行于所述第一側(cè)壁的第二平面接觸表面,所述第一平面接觸表面和所述第二平面接觸表面在正交于所述第一側(cè)壁的方向上彼此偏移。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施例總體上涉及電子組件,并且特別地涉及電子模塊與模塊化電容器之間的電連接。
背景技術(shù)
諸如功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用和汽車(chē)應(yīng)用的消費(fèi)和工業(yè)功率應(yīng)用利用功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件以控制與這些應(yīng)用相關(guān)聯(lián)的大電壓和/或電流。例如,功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件通常用于控制50V(伏特)、100V、500V或更大的量級(jí)的電壓和/或控制1A(安培)、10A、100A、400A或更大的量級(jí)的電流。在此上下文中通常采用的示例性半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件包括絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、二極管等。
通常在諸如DC到DC轉(zhuǎn)換器、AC到AC轉(zhuǎn)換器和AC到DC功率轉(zhuǎn)換器的功率轉(zhuǎn)換器中采用的一種功率開(kāi)關(guān)器件電路拓?fù)涫前霕螂娐贰0霕螂娐钒▋蓚€(gè)串聯(lián)連接的開(kāi)關(guān)器件和并聯(lián)連接在兩個(gè)串聯(lián)連接的開(kāi)關(guān)器件兩端的電容器。通過(guò)對(duì)開(kāi)關(guān)器件進(jìn)行快速開(kāi)關(guān)來(lái)執(zhí)行電壓轉(zhuǎn)換。半橋的輸出處的電感負(fù)載由所施加的電壓充電/放電。在個(gè)體開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)事件期間,電容器維持半橋兩端的穩(wěn)定操作電壓。
發(fā)明內(nèi)容
公開(kāi)了一種電容器。根據(jù)實(shí)施例,所述電容器包括:電絕緣殼體,所述電絕緣殼體包圍內(nèi)部體積;第一導(dǎo)電連接焊盤(pán)和第二導(dǎo)電連接焊盤(pán),所述第一導(dǎo)電連接焊盤(pán)和所述第二導(dǎo)電連接焊盤(pán)均被配置作為到設(shè)置在所述殼體內(nèi)的所述電容器的內(nèi)部電極的電接觸部的外部可接入點(diǎn);以及有源電容器電介質(zhì)材料,所述有源電容器電介質(zhì)材料設(shè)置在所述殼體內(nèi)并且被配置作為所述內(nèi)部電極之間的電介質(zhì)介質(zhì);所述第一導(dǎo)電連接焊盤(pán)包括基本上平行于所述殼體的第一側(cè)壁的第一平面接觸表面,所述第二導(dǎo)電連接焊盤(pán)包括基本上平行于所述第一側(cè)壁的第二平面接觸表面,并且,所述第一平面接觸表面和所述第二平面接觸表面在正交于所述第一側(cè)壁的方向上彼此偏移。
單獨(dú)地或組合地,所述電容器還包括:無(wú)源材料,所述無(wú)源材料設(shè)置在所述第一導(dǎo)電連接焊盤(pán)和所述第二導(dǎo)電連接焊盤(pán)的下側(cè)與所述有源電容器電介質(zhì)材料之間,所述第一導(dǎo)電連接焊盤(pán)和所述第二導(dǎo)電連接焊盤(pán)的下側(cè)與相應(yīng)的所述第一平面接觸表面和所述第二平面接觸表面相對(duì),并且,所述無(wú)源材料對(duì)所述電容器的電容沒(méi)有顯著貢獻(xiàn)。
單獨(dú)地或組合地,所述無(wú)源材料包括熱絕緣材料,并且,所述無(wú)源材料被配置作為所述第一導(dǎo)電連接焊盤(pán)和所述第二導(dǎo)電連接焊盤(pán)的下側(cè)與所述有源電容器電介質(zhì)材料之間的熱絕緣屏障。
單獨(dú)地或組合地,所述無(wú)源材料包括彈性材料,并且,所述無(wú)源材料機(jī)械地耦合在所述第一導(dǎo)電連接焊盤(pán)和所述第二導(dǎo)電連接焊盤(pán)的下側(cè)與所述有源電容器電介質(zhì)材料之間。
單獨(dú)地或組合地,所述電容器包括設(shè)置在所述第一導(dǎo)電連接焊盤(pán)和所述第二導(dǎo)電連接焊盤(pán)的下側(cè)與所述有源電容器電介質(zhì)材料之間的氣隙。
單獨(dú)地或組合地,所述殼體包括以非平行角度與所述第一側(cè)壁相交的第二側(cè)壁,所述電容器還包括第三導(dǎo)電連接焊盤(pán)和第四導(dǎo)電連接焊盤(pán),所述第三導(dǎo)電連接焊盤(pán)和所述第四導(dǎo)電連接焊盤(pán)均被配置作為到設(shè)置在所述殼體內(nèi)的所述電容器的內(nèi)部電極的電接觸部的外部可接入點(diǎn),所述第三導(dǎo)電連接焊盤(pán)包括基本上平行于所述第二側(cè)壁的第三平面接觸表面,所述第四導(dǎo)電連接焊盤(pán)包括基本上平行于所述第二側(cè)壁的第四平面接觸表面,并且所述第三平面接觸表面和所述第四平面接觸表面在正交于所述第二側(cè)壁的方向上彼此偏移。
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