[發(fā)明專利]一種氮化硅陶瓷燒結(jié)的前處理方法、氮化硅陶瓷及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011103898.7
• 申請(qǐng)日: 2020-10-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112209725B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-06-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樊磊;高卡;丁云鵬;高陽(yáng);楊守磊;白中義;高前程;郭曉琴;張銳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鄭州航空工業(yè)管理學(xué)院
• 主分類號(hào): C04B35/622
• 分類號(hào): C04B35/622;C04B35/584
• 代理公司: 鄭州睿信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 41119
• 代理人: 胡云飛

1.一種氮化硅陶瓷燒結(jié)的前處理方法，其特征在于，包括以下步驟：在燒結(jié)容器中，將氮化硅坯體包埋入氮化硅粉體中，然后在氮化硅粉體表面覆蓋蓋板，之后在蓋板上平鋪二氧化硅粉；所述蓋板為惰性耐火陶瓷板；所述惰性耐火陶瓷板為氮化硅蓋板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化硅陶瓷燒結(jié)的前處理方法，其特征在于，所述氮化硅粉的顆粒粒徑為0.3~2μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化硅陶瓷燒結(jié)的前處理方法，其特征在于，二氧化硅粉的顆粒粒徑為10~100μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化硅陶瓷燒結(jié)的前處理方法，其特征在于，所述氮化硅坯體四周氮化硅粉體的包埋厚度大于2cm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化硅陶瓷燒結(jié)的前處理方法，其特征在于，平鋪二氧化硅粉后，在燒結(jié)容器開(kāi)口部覆蓋蓋體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1~4任一項(xiàng)所述的氮化硅陶瓷燒結(jié)的前處理方法，其特征在于，所述二氧化硅粉的平鋪高度大于5cm且低于燒結(jié)容器開(kāi)口部。

7.一種氮化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（a）制備氮化硅陶瓷坯體；

（b）前處理：在燒結(jié)容器中，將氮化硅坯體包埋入氮化硅粉體中，然后在氮化硅粉體表面覆蓋蓋板，之后在蓋板上平鋪二氧化硅粉；所述蓋板為惰性耐火陶瓷板；

（c）將燒結(jié)容器開(kāi)口部覆蓋蓋體形成燒結(jié)體系，然后將燒結(jié)體系置于空氣氣氛中燒結(jié)；

所述惰性耐火陶瓷板為氮化硅蓋板。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氮化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，所述氮化硅陶瓷坯體由以下質(zhì)量百分比的原料制成：氮化硅?80~90%，氧化鎂5~9%，氟化鋰?1~3%，稀土氧化物?4~8%。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氮化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，所述稀土氧化物為Y₂O₃、Yb₂O₃、Sm₂O₃、Sc₂O₃、La₂O₃、CeO₂、Nd₂O₃中的一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求7~9任一項(xiàng)所述的氮化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，所述燒結(jié)的溫度為1500~1650℃，時(shí)間為2~15h。