[發(fā)明專利]測量裝置和傳感器封裝體

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011102532.8
• 申請日: 2020-10-15
• 公開（公告）號: CN112665616A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: U·奧塞勒克納
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G01D5/14
• 分類號: G01D5/14;G01R33/022;G01B7/30
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 閆昊

1.一種測量裝置，包括：

第一軟磁元件(12₁)；

第二軟磁元件(12₂)；

與所述第一軟磁元件(12₁)機械耦聯(lián)的磁性元件(14)，所述磁性元件構(gòu)造成產(chǎn)生磁場(18)；和

用于檢測所述磁場(18)的傳感器裝置(22)，所述傳感器裝置布置成使得所述第一軟磁元件(14)與所述傳感器裝置(22)之間的相對運動導(dǎo)致所述傳感器裝置(22)的位置處的所述磁場(18)的變化，其中所述傳感器裝置(22)被構(gòu)造用于確定所述變化；

其中所述傳感器裝置(22)布置在所述第一軟磁元件(12₁)與所述第二軟磁元件(12₂)之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量裝置，其中所述第二軟磁元件(12₂)設(shè)定成引起疊加在所述磁場上的干擾場的扭曲(44₂)，所述扭曲與所述干擾場的由所述第一軟磁元件(12₁)引起的扭曲(44₁)相反。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的測量裝置，其中所述第二軟磁元件(12₁)被構(gòu)造用于：在標(biāo)稱的運行狀態(tài)下并且在與所述第一軟磁元件(12₁)相互作用時，在外部的并且關(guān)于所述相對運動的徑向的干擾磁場的作用下，將所述干擾磁場的在所述傳感器裝置上的軸向分量減小至少30％。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的測量裝置，其中所述相對運動(44₂)包括相對旋轉(zhuǎn)運動，并且其中通過所述第二軟磁元件(12₂)的軟磁特性對所述磁場(18)的第二影響沿著所述相對旋轉(zhuǎn)運動的旋轉(zhuǎn)軸線(34)與所述傳感器裝置(22)對稱地延續(xù)通過所述第一軟磁元件(12₁)的軟磁特性對所述磁場(18)的第一影響(44₁)。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的測量裝置，其中所述第一軟磁元件(12₁)圍繞旋轉(zhuǎn)軸線(34)旋轉(zhuǎn)地支承，其中所述第二軟磁元件(12₂)的面積形心布置在所述旋轉(zhuǎn)軸線(34)上。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的測量裝置，其中所述相對運動包括相對旋轉(zhuǎn)運動，并且其中所述第一軟磁元件(12₁)和所述第二軟磁元件(12₁)圍繞所述相對旋轉(zhuǎn)運動的旋轉(zhuǎn)軸線(34)旋轉(zhuǎn)對稱地形成。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的測量裝置，其中所述相對運動包括圍繞旋轉(zhuǎn)軸線(34)的相對旋轉(zhuǎn)運動，并且其中所述傳感器裝置(22)具有至少三個傳感器元件(36)，所述至少三個傳感器元件被設(shè)定用于檢測所述磁場(18)；

其中所述至少三個傳感器元件(36)圍繞布置在所述旋轉(zhuǎn)軸線(34)上的圓心布置在具有第一半徑(r₁)的圓形軌道上或所述圓形軌道內(nèi)；

其中所述第二軟磁元件的面向所述傳感器裝置的主側(cè)圍繞所述相對旋轉(zhuǎn)運動的旋轉(zhuǎn)軸線(34)旋轉(zhuǎn)對稱地形成，并且具有第二半徑(r₂)；并且

其中所述第二半徑(r₂)大于所述第一半徑(r₁)。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的測量裝置，其中所述傳感器裝置(22)包括多個形成為磁性角度傳感器的傳感器元件(36)；其中所述傳感器裝置(22)被構(gòu)造用于在使用梯度測量原理的情況下評估所述傳感器元件。