[發明專利]半導體器件結構及其制備方法

有效

• 申請號: 202011101325.0
• 申請日: 2020-10-15
• 公開（公告）號: CN112349722B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 王欣;甘程;田武
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11519
• 分類號: H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11578
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 高園園

1.一種半導體器件結構，其特征在于，所述半導體器件結構包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底內的多個有源區及隔離結構，所述有源區及所述隔離結構沿第一方向交替間隔排布，所述有源區沿第二方向延伸，所述第一方向與所述第二方向相垂直；

至少位于所述有源區上的柵極結構；以及

至少位于相鄰所述有源區之間的所述隔離結構上的虛擬結構，且在所述第二方向上所述柵極結構與所述虛擬結構之間具有間距；

所述有源區中還形成有位于所述柵極結構兩側源極摻雜區及漏極摻雜區，所述虛擬結構對應位于相鄰所述有源區的所述源極摻雜區之間或所述漏極摻雜區之間，且在所述第一方向上所述虛擬結構還延伸至相鄰兩個所述有源區的所述源極摻雜區或所述漏極摻雜區上方形成交疊區域。

2.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其特征在于，所述柵極結構與所述虛擬結構的材質相同，所述柵極結構與所述虛擬結構的高度相同。

3.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其特征在于，所述柵極結構包括若干個與所述有源區一一對應的柵極單元，所述柵極單元沿所述第一方向上橫跨對應的所述有源區，且各所述柵極單元基于同一金屬層電連接。

4.根據權利要求3所述的半導體器件結構，其特征在于，相鄰所述柵極單元之間具有間距，相鄰兩個所述有源區對應的兩個所述柵極單元與所述有源區之間對應的所述虛擬結構在所述第一方向上的投影相交疊。

5.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其特征在于，所述柵極結構包括條狀柵，所述條狀柵沿所述第一方向上橫跨各個所述有源區。

6.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其特征在于，所述有源區中還形成有位于所述柵極結構兩側的LDD摻雜區。

7.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其特征在于，所述半導體器件結構為位線驅動器。

8.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其特征在于，沿所述第一方向上，所述交疊區域的尺寸介于對應所述源極摻雜區或所述漏極摻雜區尺寸的1/5-1/3之間。

9.一種半導體器件結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底中形成多個有源區及隔離結構，所述有源區及所述隔離結構沿第一方向交替間隔排布，所述有源區沿第二方向延伸，所述第一方向與所述第二方向相垂直；

于所述半導體襯底上制備柵極結構及虛擬結構，其中，所述柵極結構至少形成在所述有源區上，所述虛擬結構至少形成在相鄰所述有源區之間的所述隔離結構上，且在所述第二方向上所述柵極結構與所述虛擬結構之間具有間距；

對所述有源區進行離子注入，以在所述柵極結構兩側形成源極摻雜區和漏極摻雜區，所述虛擬結構對應位于相鄰所述有源區的所述源極摻雜區之間或所述漏極摻雜區之間，且在所述第一方向上所述虛擬結構還延伸至相鄰兩個所述有源區的所述源極摻雜區或所述漏極摻雜區上方形成交疊區域。

10.根據權利要求9所述的半導體器件結構的制備方法，其特征在于，所述柵極結構與所述虛擬結構基于同一工藝同時制備。

11.根據權利要求9所述的半導體器件結構的制備方法，其特征在于，所述柵極結構包括若干個與所述有源區一一對應的柵極單元，所述柵極單元沿所述第一方向上橫跨對應的所述有源區，且各所述柵極單元基于同一金屬層電連接；或者，所述柵極結構包括條狀柵，所述條狀柵沿所述第一方向上橫跨各個所述有源區。

12.根據權利要求11所述的半導體器件結構的制備方法，其特征在于，相鄰所述柵極單元之間具有間距，且相鄰兩個所述有源區對應的所述柵極單元與所述有源區之間的所述虛擬結構在所述第一方向上的投影具有交疊。