[發明專利]一種半導體工業廢水處理技術及回收利用工藝

在審

• 申請號: 202011099120.3
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112174382A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 陳麗
• 申請（專利權）人: 上海三邦水處理技術有限公司
• 主分類號: C02F9/04
• 分類號: C02F9/04;C02F103/34;C02F101/20;C02F101/14
• 代理公司: 深圳至誠化育知識產權代理事務所(普通合伙) 44728
• 代理人: 劉英

本發明公開了一種半導體工業廢水處理技術及回收利用工藝，其工藝步驟如下：該半導體廢水主要分三大類：包括含銅，鎳，錫重金屬廢、含氟離子廢水，其處理工藝流程如下：首先將切割研磨硅片產生的廢水和純水系統反洗及RO濃水，分流單獨處理，重金金屬廢水和含氟離子廢水集中單獨處理后再集中處理，合格達到半導體廢水排放標準再排放；研磨切割廢水單獨處理后合格部分回收利用。有效的解決了現有技術中的缺陷，大大提高了該工藝效率。

技術領域

本發明涉及工業廢水處理技術及回收利用技術領域，特別涉及一種半導體工業廢水處理技術及回收利用工藝。

背景技術

半導體行業在我國的迅速發展，生產的半導體產品供應全國及世界。這樣產生的廢水污染可想而知。廢水合理排放已經不能滿足需求，廢水再回收利用是未來發展趨勢。廢水合理利用對我國以后資源利用具有積極意義。

廢水蒸發系統運行過程中，會發生結垢現象，嚴重影響了處理了效果。通過RO濃縮水單獨收集，通過NaOH調節水中PH值，添加Na2CO₃反應生產CaCO₃,MgCO₃再自動加入絮凝劑形成絮凝沉淀。清水排出，進入蒸發系統。

發明內容

本發明的目的在于提供，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種半導體工業廢水處理技術及回收利用工藝，其特征在于，其工藝步驟如下：

該半導體廢水主要分三大類：包括含銅，鎳，錫重金屬廢、含氟離子廢水，其處理工藝流程如下：

S1：首先將切割研磨硅片產生的廢水和純水系統反洗及RO濃水，分流單獨處理，重金金屬廢水和含氟離子廢水集中單獨處理后再集中處理，合格達到半導體廢水排放標準再排放；

S2：研磨切割廢水單獨處理后合格部分回收利用。

進一步的，含鎳，銅廢水處理工藝如下：

S1：先加入NaOH調節廢水的PH，再利用Na2S(硫化鈉)與廢水中的鎳離子反應生成沉淀，添加PAC,PAM，在調節池中形成絮凝；

S2：接著在沉淀池中使金屬硫化物沉淀下來，經過砂濾去除廢水中的懸浮物雜質，最后通過樹脂對廢水進行深度處理，使廢水中的鎳濃度達到上海半導體一級污染物排放標準；

進一步的，含鎳，銅廢水處理工藝如下：

S1：先用NaOH調節PH，再添加Na₂S(硫化鈉)反應，再添加PAC和PAM加速沉淀，砂濾，最后利用樹脂交換器進行深度處理，保證出水離子濃度達標排放。

進一步的，含氟廢水處理為斜板沉淀法，其工藝流程如下：

S1：含氟離子廢水和CaCl₂發生反應，控制PH值在10-11，保證投加過量的消石灰，通過化學反應生產了氟化鈣沉淀；

S2：進入絮凝池，投加AL₂(SO₄)₂和PAM，結成大片絮凝物，控制PH值在7-8之間，落在斜板沉淀池內。

進一步的，以上處理為一級處理工藝，出水水質F-含量10mg/L，符合排放標準；研磨廢水和純水排放廢水一起處理，通過調節池，和濁度儀表查看濁度情況，如果濁度合格，通過2#調節池之后再次調節均勻，再次進入3#調節池，如果水質不合格的情況下，需要回流至1#調節池；重金屬廢水和含氟廢水通過上述方法處理后，再添加AL₂(SO₄)₃和PAM后，再次處理后，出水水質的含氟量和金屬含量得到有效控制。