[發明專利]一種半導體工業廢水處理技術及回收利用工藝

在審

• 申請號: 202011099120.3
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112174382A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 陳麗
• 申請（專利權）人: 上海三邦水處理技術有限公司
• 主分類號: C02F9/04
• 分類號: C02F9/04;C02F103/34;C02F101/20;C02F101/14
• 代理公司: 深圳至誠化育知識產權代理事務所(普通合伙) 44728
• 代理人: 劉英

1.一種半導體工業廢水處理技術及回收利用工藝，其特征在于，其工藝步驟如下：

該半導體廢水主要分三大類：包括含銅，鎳，錫重金屬廢、含氟離子廢水，其處理工藝流程如下：

S1：首先將切割研磨硅片產生的廢水和純水系統反洗及RO濃水，分流單獨處理，重金金屬廢水和含氟離子廢水集中單獨處理后再集中處理，合格達到半導體廢水排放標準再排放；

S2：研磨切割廢水單獨處理后合格部分回收利用。

2.根據權利要求1所述的一種半導體工業廢水處理技術及回收利用工藝，其特征在于，含鎳，銅廢水處理工藝如下：

S1：先加入NaOH調節廢水的PH，再利用Na2S(硫化鈉)與廢水中的鎳離子反應生成沉淀，添加PAC,PAM，在調節池中形成絮凝；

S2：接著在沉淀池中使金屬硫化物沉淀下來，經過砂濾去除廢水中的懸浮物雜質，最后通過樹脂對廢水進行深度處理，使廢水中的鎳濃度達到上海半導體一級污染物排放標準。

3.根據權利要求1所述的一種半導體工業廢水處理技術及回收利用工藝，其特征在于，含鎳，銅廢水處理工藝如下：

S1：先用NaOH調節PH，再添加Na₂S(硫化鈉)反應，再添加PAC和PAM加速沉淀，砂濾，最后利用樹脂交換器進行深度處理，保證出水離子濃度達標排放。

4.根據權利要求1所述的一種半導體工業廢水處理技術及回收利用工藝，其特征在于，含氟廢水處理為斜板沉淀法，其工藝流程如下：

S1：含氟離子廢水和CaCl₂發生反應，控制PH值在10-11，保證投加過量的消石灰，通過化學反應生產了氟化鈣沉淀；

S2：進入絮凝池，投加AL₂(SO₄)₂和PAM，結成大片絮凝物，控制PH值在7-8之間，落在斜板沉淀池內。

5.根據權利要求4所述的一種半導體工業廢水處理技術及回收利用工藝，其特征在于：以上處理為一級處理工藝，出水水質F-含量10mg/L，符合排放標準；研磨廢水和純水排放廢水一起處理，通過調節池，和濁度儀表查看濁度情況，如果濁度合格，通過2#調節池之后再次調節均勻，再次進入3#調節池，如果水質不合格的情況下，需要回流至1#調節池；重金屬廢水和含氟廢水通過上述方法處理后，再添加AL₂(SO₄)₃和PAM后，再次處理后，出水水質的含氟量和金屬含量得到有效控制。

6.根據權利要求1所述的一種半導體工業廢水處理技術及回收利用工藝，其特征在于：本回收利用工藝采用的是UF膜加RO膜的方法，所謂濾膜過濾就是利用連續組織間的孔和分子排列間隙進行分離操作，UF膜具孔徑0.001μm～0.01μm，膜絲內徑0.8mm，從而保證原水中所有尺寸超過膜孔徑的顆粒，如膠體，細菌等被完全過濾掉，保證通過膜的出水濁度可以控制到1NTU以下，出水水質較好，甚至可以作為純水系統的原用水。