[發明專利]一種引線框架結構、加工裝置及加工方法有效
| 申請號: | 202011098739.2 | 申請日: | 2020-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN112259462B | 公開(公告)日: | 2022-06-07 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 天水華洋電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/495 |
| 代理公司: | 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230 | 代理人: | 陳仕超 |
| 地址: | 741020 *** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 引線 框架結構 加工 裝置 方法 | ||
1.一種引線框架結構,其特征在于:所述引線框架結構加工過程包括:
預處理:將用于加工引線框架的基材固定在框架載體(19)表面,所述基材外形與所述框架載體(19)外形相匹配,且所述基材面積大于所述框架載體面積,所述基材與所述框架載體(19)的固定位置位于所述引線框架加工成型后的引線(20)所在位置;
切除所述基材邊料:采用激光切割將所述基材的邊料切除,并且所述基材初步形成所述引線框架中的所述引線(20)的外形;
切除所述基材中間料:采用激光切割將所述基材的中間料切除,并且所述基材形成所述引線框架中的所有的所述引線;
冷卻:在切除所述基材邊料與所述基材中間料的過程中,對所述基材與所述框架載體進行冷卻;
去除:將從所述基材上切割下的邊料和中間料除去;
所述框架載體(19)上固定有多個所述引線(20),所述框架載體(19)中部位置具有芯片區(21),所述引線(20)一端伸出框架載體(19)、引線(20)另一端延伸至靠近框架載體(19)中部位置的芯片區(21)的位置,所述引線(20)上開設有連接孔(22),所述框架載體(19)上具有與連接孔(22)形狀匹配的凸起(23),所述凸起(23)位于連接孔(22)內并與其過盈配合;所述引線(20)一端伸出框架載體(19)的一端為引腳(24)。
2.根據權利要求1所述的一種引線框架結構,其特征在于:所述連接孔(22)為圓形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





