[發明專利]一種引線框架結構、加工裝置及加工方法有效
| 申請號: | 202011098739.2 | 申請日: | 2020-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN112259462B | 公開(公告)日: | 2022-06-07 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 天水華洋電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/495 |
| 代理公司: | 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230 | 代理人: | 陳仕超 |
| 地址: | 741020 *** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 引線 框架結構 加工 裝置 方法 | ||
本發明公開了一種引線框架結構、加工裝置及加工方法,本發明中,通過預處理、切除基材邊料、切除基材中間料和去除:采用激光切割將基材的邊料切除并且基材初步形成引線框架中的引線的外形,采用激光切割將基材的中間料切除并且基材形成引線框架中的所有的引線,并將從基材上切割下的邊料和中間料除去,使得框架載體上只留下與其固定的所有引線,成型后的所有引線及框架載體形成的整體可直接用于芯片封裝,且加工過程只需使讓激光沿預設路徑進行切割,相比傳統的沖壓方式其精度更高,相比傳統的蝕刻方式不會產生三氯化鐵廢液。
技術領域
本發明屬于芯片封裝領域,尤其涉及一種引線框架結構、加工裝置及加工方法。
背景技術
安裝半導體集成電路芯片用的外殼,起著安放、固定、密封、保護芯片和增強電熱性能的作用,而且還是溝通芯片內部世界與外部電路的橋梁——芯片上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上,這些引腳又通過印制板上的導線與其他器件建立連接。因此,封裝對CPU和其他LSI集成電路都起著重要的作用;板上芯片(ChipOnBoard,COB)工藝過程首先是在基底表面用導熱環氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環氧樹脂)覆蓋硅片安放點,然后將硅片直接安放在基底表面,熱處理至硅片牢固地固定在基底為止,隨后再用絲焊的方法在硅片和基底之間直接建立電氣連接;引線框架作為集成電路的芯片載體,是一種借助于鍵合材料(金絲、鋁絲、銅絲)實現芯片內部電路引出端與外引線的電氣連接,形成電氣回路的關鍵結構件,它起到了和外部導線連接的橋梁作用,絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架,是電子信息產業中重要的基礎材料,引線框架就是將芯片與外部電路連接的所有引線組成的一個整體,現有的引線框架中的引線,一般通過沖壓、蝕刻的方法加工成型,但是通過沖壓方式加工引線框架中的引線,其加工精度一般,加工引線密集的引線框架較為困難,而且采用沖壓加工方式引線上易出現毛刺,而通過蝕刻方式加工雖然加工精度高,能夠加工出較密集的引線,但是通過蝕刻工藝加工時,一般采用三氯化鐵蝕刻液腐蝕成型。在制造引線框架的過程中會產生大量三氯化鐵廢液,廢液的處理也較為困難且成本高。
發明內容
本發明的目的在于:提供一種采用激光切割方式加工引線框架的加工方法、加工裝置以及該引線框架結構,
本發明采用的技術方案如下:
一種引線框架加工方法,其特征在于:包括以下步驟:
預處理:將用于加工引線框架的基材固定在框架載體表面,基材外形與框架載體外形相匹配,且基材面積大于框架載體面積,基材與框架載體的固定位置位于引線框架加工成型后的引線所在位置;
切除基材邊料:采用激光切割將基材的邊料切除并且基材初步形成引線框架中的引線的外形;
切除基材中間料:采用激光切割將基材的中間料切除并且基材形成引線框架中的所有的引線;
冷卻:在切除基材邊料與基材中間料的過程中對基材與框架載體進行冷卻;
去除:將從基材上切割下的邊料和中間料除去。
應用于所述一種引線框架加工方法的引線框架加工裝置,其特征在于:包括機架、縱向移動機構、橫向移動機構、激光機和滴水管;
所述機架上設置有工件臺,所述工件臺上開設有放置槽;
所述縱向移動機構位于工件臺上方,所述縱向移動機構包括縱向滑桿、縱向滑臺和縱向驅動器,所述縱向滑桿兩端與機架固定;所述縱向滑臺上開設有縱向滑孔,且縱向滑桿位于縱向滑孔內部與縱向滑臺可滑動連接;所述縱向驅動器能夠驅動縱向滑臺在縱向滑桿上往復滑動;
所述橫向移動機構位于縱向滑臺底部,所述橫向移動機構包括橫向滑桿、橫向滑臺和橫向驅動器,所述橫向滑桿兩端與滑臺固定;所述橫向滑臺上開設有橫向滑孔,且橫向滑桿位于橫向滑孔內部與橫向滑臺可滑動連接;所述橫向驅動器能夠驅動橫向滑臺在橫向滑桿上往復滑動;所述激光機固定于橫向滑臺底部;所述滴水管固定于橫向滑臺底部且位于激光機一側,且滴水管下端固定有滴水嘴。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





