[發(fā)明專利]一種應(yīng)用于HTCVD法生長(zhǎng)碳化硅的氣體提純裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011098035.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112323041B | 公開(公告)日: | 2022-11-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉健;姚慶;吳海燕 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇鑫漢電子材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/44 | 分類號(hào): | C23C16/44;C23C16/32;B01D46/10;B01D53/00;B01D53/26 |
| 代理公司: | 上海創(chuàng)開專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31374 | 代理人: | 吳海燕 |
| 地址: | 212000 江蘇省鎮(zhèn)江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 應(yīng)用于 htcvd 生長(zhǎng) 碳化硅 氣體 提純 裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于HTCVD法生長(zhǎng)碳化硅的氣體提純裝置,涉及碳化硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體為殼體和凈化裝置,所述殼體左端設(shè)置有加熱端頭,且加熱端頭內(nèi)壁安置有加熱絲,所述加熱端頭左端連接有進(jìn)氣端頭,且進(jìn)氣端頭左端連接有第一單向閥,所述殼體內(nèi)部安置有冷凝管,該應(yīng)用于HTCVD法生長(zhǎng)碳化硅的氣體提純裝置,設(shè)置的干燥箱內(nèi)部存在的干燥球采用中性顆粒干燥劑,中性顆粒干燥劑一般可以干燥各種氣體,可有效對(duì)反應(yīng)氣體進(jìn)行進(jìn)一步干燥處理,可通過擰松箱蓋抓握把手將干燥箱從殼體內(nèi)部進(jìn)行拆卸,并通過滑開干燥箱底端下表面的封板對(duì)其內(nèi)部的干燥球進(jìn)行更換,從而保證干燥箱后續(xù)的干燥效果,干燥后的反應(yīng)氣體可有效保證碳化硅的生成效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及碳化硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種應(yīng)用于HTCVD法生長(zhǎng)碳化硅的氣體提純裝置。
背景技術(shù)
在高溫化學(xué)氣相沉積法(HTCVD)生長(zhǎng)碳化硅晶體是指在密閉的反應(yīng)器中,外部加熱使反應(yīng)室保持所需要的反應(yīng)溫度,反應(yīng)氣體SiH4由H2或He載帶,途中和CH4混合,再一起2000~2300高溫通如反應(yīng)器中,反應(yīng)氣體在高溫下分解生成碳化硅并附著在襯底材料表面,從而達(dá)到生長(zhǎng)碳化硅的作用,在通入反應(yīng)氣體之前需要先經(jīng)過氣體提純方可進(jìn)入反應(yīng)室中進(jìn)行反應(yīng),所以一種應(yīng)用于HTCVD法生長(zhǎng)碳化硅的氣體提純裝置顯得尤為重要。
目前在運(yùn)用HTCVD法生長(zhǎng)碳化硅的過程中,其通入的反應(yīng)氣體中可能存在濕度較高的情況,或者內(nèi)部的灰塵雜質(zhì)導(dǎo)致反應(yīng)氣體純度較低,從而影響到碳化硅生成的質(zhì)量不佳,針對(duì)上述情況我們推出了一種應(yīng)用于HTCVD法生長(zhǎng)碳化硅的氣體提純裝置顯得尤為重要。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于HTCVD法生長(zhǎng)碳化硅的氣體提純裝置,解決了上述背景技術(shù)中提出的目前在運(yùn)用HTCVD法生長(zhǎng)碳化硅的過程中,其通入的反應(yīng)氣體中可能存在濕度較高的情況,或者內(nèi)部的灰塵雜質(zhì)導(dǎo)致反應(yīng)氣體純度較低,從而影響到碳化硅生成的質(zhì)量不佳的問題。
為實(shí)現(xiàn)以上目的,本發(fā)明通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):一種應(yīng)用于HTCVD法生長(zhǎng)碳化硅的氣體提純裝置,包括殼體和凈化裝置,所述殼體左端設(shè)置有加熱端頭,且加熱端頭內(nèi)壁安置有加熱絲,所述加熱端頭左端連接有進(jìn)氣端頭,且進(jìn)氣端頭左端連接有第一單向閥,所述殼體內(nèi)部安置有冷凝管,且冷凝管外壁固定有銅片,所述銅片末端連接有導(dǎo)流片,且導(dǎo)流片的下方殼體內(nèi)壁的上表面固定有導(dǎo)流底板,所述殼體下表面設(shè)置有排水口,且排水口下端連接有收集罐,所述冷凝管右方固定有第一隔板,且第一隔板外表面開設(shè)有通氣口,所述殼體內(nèi)部靠近第一隔板右側(cè)安置有干燥箱,且干燥箱內(nèi)部設(shè)置有干燥球,所述干燥箱上端設(shè)置有箱蓋,且干燥箱底端下表面設(shè)置有封板,所述干燥箱右側(cè)固定有第二隔板,且殼體上表面位于干燥箱和第二隔板間隙處連接有彎管,所述凈化裝置安置于第二隔板右側(cè),所述殼體下表面靠近凈化裝置的一方連接有出氣端頭,且出氣端頭下端連接有第二單向閥,所述第二單向閥下端連接有流量計(jì)。
可選的,所述加熱端頭內(nèi)壁環(huán)繞分布有加熱絲,且加熱端頭通過進(jìn)氣端頭與第一單向閥之間構(gòu)成固定連接,而且加熱端頭與殼體之間構(gòu)成焊接一體化結(jié)構(gòu)。
可選的,所述進(jìn)氣端頭與第一單向閥之間為螺紋連接,且進(jìn)氣端頭的中垂線與加熱端頭的中垂線相重合。
可選的,所述導(dǎo)流片關(guān)于冷凝管的豎直中心線呈對(duì)稱分布,且冷凝管外壁環(huán)繞分布有銅片,而且導(dǎo)流片與銅片之間構(gòu)成半包圍結(jié)構(gòu)。
可選的,所述導(dǎo)流底板呈傾斜結(jié)構(gòu),且導(dǎo)流底板與第一隔板之間呈垂直分布,而且第一隔板外表面均勻開設(shè)有通氣口。
可選的,所述干燥箱外表面呈網(wǎng)口狀,且干燥箱的網(wǎng)口直徑小于干燥球的外口直徑。
可選的,所述封板與干燥箱之間為活動(dòng)連接,且干燥箱通過箱蓋與殼體之間為固定結(jié)構(gòu)。
可選的,所述凈化裝置包括箱殼、螺桿、壓板和過濾片,所述箱殼內(nèi)部連接有螺桿,且螺桿外表面設(shè)置有壓板,所述壓板下表面安置有過濾片。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的





