[發明專利]一種應用于HTCVD法生長碳化硅的氣體提純裝置

有效

• 申請號: 202011098035.5
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112323041B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發明（設計）人: 劉健;姚慶;吳海燕
• 申請（專利權）人: 江蘇鑫漢電子材料有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/32;B01D46/10;B01D53/00;B01D53/26
• 代理公司: 上海創開專利代理事務所(普通合伙) 31374
• 代理人: 吳海燕

1.一種應用于HTCVD法生長碳化硅的氣體提純裝置，包括殼體(1)和凈化裝置(20)，其特征在于：所述殼體(1)左端設置有加熱端頭(2)，且加熱端頭(2)內壁安置有加熱絲(3)，所述加熱端頭(2)左端連接有進氣端頭(4)，且進氣端頭(4)左端連接有第一單向閥(5)，所述殼體(1)內部安置有冷凝管(6)，且冷凝管(6)外壁固定有銅片(7)，所述銅片(7)末端連接有導流片(8)，且導流片(8)的下方殼體(1)內壁的上表面固定有導流底板(9)，所述殼體(1)下表面設置有排水口(10)，且排水口(10)下端連接有收集罐(11)，所述冷凝管(6)右方固定有第一隔板(12)，且第一隔板(12)外表面開設有通氣口(13)，所述殼體(1)內部靠近第一隔板(12)右側安置有干燥箱(14)，且干燥箱(14)內部設置有干燥球(15)，所述干燥箱(14)上端設置有箱蓋(16)，且干燥箱(14)底端下表面設置有封板(17)，所述干燥箱(14)右側固定有第二隔板(18)，且殼體(1)上表面位于干燥箱(14)和第二隔板(18)間隙處連接有彎管(19)，所述凈化裝置(20)安置于第二隔板(18)右側，所述凈化裝置(20)包括箱殼(2001)、螺桿(2002)、壓板(2003)和過濾片(2004)，所述箱殼(2001)內部連接有螺桿(2002)，且螺桿(2002)外表面設置有壓板(2003)，所述壓板(2003)下表面安置有過濾片(2004)，所述箱殼(2001)與第二隔板(18)之間為卡合連接，且箱殼(2001)與殼體(1)之間為活動連接，而且箱殼(2001)的豎直中心線與螺桿(2002)的豎直中心線相重合，所述壓板(2003)通過螺桿(2002)與箱殼(2001)之間構成升降結構，且壓板(2003)的下表面與過濾片(2004)的上表面緊密貼合，所述殼體(1)下表面靠近凈化裝置(20)的一方連接有出氣端頭(21)，且出氣端頭(21)下端連接有第二單向閥(22)，所述第二單向閥(22)下端連接有流量計(23)。

2.根據權利要求1所述的一種應用于HTCVD法生長碳化硅的氣體提純裝置，其特征在于：所述加熱端頭(2)內壁環繞分布有加熱絲(3)，且加熱端頭(2)通過進氣端頭(4)與第一單向閥(5)之間構成固定連接，而且加熱端頭(2)與殼體(1)之間構成焊接一體化結構。

3.根據權利要求1所述的一種應用于HTCVD法生長碳化硅的氣體提純裝置，其特征在于：所述進氣端頭(4)與第一單向閥(5)之間為螺紋連接，且進氣端頭(4)的中垂線與加熱端頭(2)的中垂線相重合。

4.根據權利要求1所述的一種應用于HTCVD法生長碳化硅的氣體提純裝置，其特征在于：所述導流片(8)關于冷凝管(6)的豎直中心線呈對稱分布，且冷凝管(6)外壁環繞分布有銅片(7)，而且導流片(8)與銅片(7)之間構成半包圍結構。

5.根據權利要求1所述的一種應用于HTCVD法生長碳化硅的氣體提純裝置，其特征在于：所述導流底板(9)呈傾斜結構，且導流底板(9)與第一隔板(12)之間呈垂直分布，而且第一隔板(12)外表面均勻開設有通氣口(13)。

6.根據權利要求1所述的一種應用于HTCVD法生長碳化硅的氣體提純裝置，其特征在于：所述干燥箱(14)外表面呈網口狀，且干燥箱(14)的網口直徑小于干燥球(15)的外口直徑。

7.根據權利要求1所述的一種應用于HTCVD法生長碳化硅的氣體提純裝置，其特征在于：所述封板(17)與干燥箱(14)之間為活動連接，且干燥箱(14)通過箱蓋(16)與殼體(1)之間為固定結構。