[發明專利]非易失性存儲器件

在審

• 申請號: 202011096938.X
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112670288A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 安在昊;黃盛珉;任峻成;康范圭;李相燉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬

本發明公開了一種非易失性存儲器件，該非易失性存儲器件包括：模制結構，該模制結構包括在襯底上的多個柵電極，所述多個柵電極包括順序地堆疊在襯底上的第一串選擇線、第二串選擇線和第三串選擇線；溝道結構，其穿透模制結構并與每個柵電極相交；第一切割區域，其切割每個柵電極；第二切割區域，其在第一方向上與第一切割區域間隔開，并且切割每個柵電極；第一切割線，其在第一切割區域和第二切割區域之間切割第一串選擇線；第二切割線，其在第一切割區域和第二切割區域之間切割第二串選擇線；以及第三切割線，其在第一切割區域和第二切割區域之間切割第三串選擇線。

技術領域

實施方式涉及非易失性存儲器件及其制造方法。

背景技術

半導體存儲器件可以大致分為易失性存儲器件和非易失性存儲器件。

非易失性存儲器件的集成度正在增加，以滿足消費者所需的優異性能和低成本。在二維或平面存儲器件的情況下，集成度由單位存儲單元占據的面積確定。近來，已經開發了其中單位存儲單元被垂直放置的三維存儲器件。

發明內容

實施方式可以通過提供一種非易失性存儲器件來實現，該非易失性存儲器件包括：模制結構，其包括在襯底上的多個柵電極，所述多個柵電極包括依次堆疊在襯底上的第一串選擇線、第二串選擇線和第三串選擇線；溝道結構，其穿透模制結構并與所述多個柵電極中的每個相交；第一切割區域，其切割所述多個柵電極中的每個；第二切割區域，其在第一方向上與第一切割區域間隔開，并且切割所述多個柵電極中的每個；第一切割線，其在第一切割區域和第二切割區域之間切割第一串選擇線；第二切割線，其在第一切割區域和第二切割區域之間切割第二串選擇線；以及第三切割線，其在第一切割區域和第二切割區域之間切割第三串選擇線，其中，第一切割線與第一切割區域間隔開第一距離并與第二切割區域間隔開第二距離，第二切割線與第一切割區域間隔開第三距離并與第二切割區域間隔開第四距離，第三切割線與第一切割區域間隔開第五距離并與第二切割區域間隔開第六距離，第一距離與第二距離之間的第一差大于第五距離與第六距離之間的第三差，以及第三距離與第四距離之間的第二差大于第三差。

實施方式可以通過提供一種非易失性存儲器件來實現，該非易失性存儲器件包括：模制結構，其包括在襯底上的多個柵電極，所述多個柵電極包括順序地堆疊在襯底上的第一串選擇線、第二串選擇線和第三串選擇線；溝道結構，其穿透模制結構并與所述多個柵電極中的每個相交；第一切割區域，其切割所述多個柵電極中的每個；第二切割區域，其在第一方向上與第一切割區域間隔開，并且切割所述多個柵電極中的每個；第一切割線，其在第一切割區域和第二切割區域之間切割第一串選擇線；第二切割線，其在第一切割區域和第二切割區域之間切割第二串選擇線；以及第三切割線，其在第一切割區域和第二切割區域之間切割第三串選擇線，其中，第一切割線與第一切割區域間隔開第一距離并與第二切割區域間隔開第二距離，第二距離大于第一距離，第二切割線與第一切割區域間隔開第三距離并與第二切割區域間隔開第四距離，第四距離小于第三距離，第三切割線與第一切割區域間隔開第五距離，第五距離大于第一距離且大于第四距離，第三切割線與第二切割區域間隔開第六距離，第六距離大于第一距離且大于第四距離。

實施方式可以通過提供一種非易失性存儲器件來實現，該非易失性存儲器件包括：模制結構，其包括在襯底上的多個柵電極，所述多個柵電極包括順序地堆疊在襯底上的第一串選擇線、第二串選擇線和第三串選擇線；溝道結構，其穿透模制結構并與所述多個柵電極中的每個相交；第一切割線，其在與襯底的上表面平行的方向上延伸并切割第一串選擇線；第二切割線，其在與襯底的上表面平行的方向上延伸并切割第二串選擇線；以及第三切割線，其在與襯底的上表面平行的方向上延伸并切割第三串選擇線，其中，從平面的視角來看，在第一切割線的一側的第一串選擇線的第一面積小于在第一切割線的另一側的第一串選擇線的第二面積；從平面的視角來看，在第二切割線的一側的第二串選擇線的第三面積大于在第二切割線的另一側的第二串選擇線的第四面積；從平面的視角來看，在第三切割線的一側的第三串選擇線的第五面積和在第三切割線的另一側的第三串選擇線的第六面積大于第一面積且大于第四面積。