[發(fā)明專利]非易失性存儲器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011096938.X
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112670288A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安在昊;黃盛珉;任峻成;康范圭;李相燉
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 弋桂芬

1.一種非易失性存儲器件，包括：

模制結(jié)構(gòu)，其包括在襯底上的多個(gè)柵電極，所述多個(gè)柵電極包括順序地堆疊在所述襯底上的第一串選擇線、第二串選擇線和第三串選擇線；

溝道結(jié)構(gòu)，其穿透所述模制結(jié)構(gòu)并與所述多個(gè)柵電極中的每個(gè)相交；

第一切割區(qū)域，其切割所述多個(gè)柵電極中的每個(gè)；

第二切割區(qū)域，其在第一方向上與所述第一切割區(qū)域間隔開，并且切割所述多個(gè)柵電極中的每個(gè)；

第一切割線，其在所述第一切割區(qū)域和所述第二切割區(qū)域之間切割所述第一串選擇線；

第二切割線，其在所述第一切割區(qū)域和所述第二切割區(qū)域之間切割所述第二串選擇線；以及

第三切割線，其在所述第一切割區(qū)域和所述第二切割區(qū)域之間切割所述第三串選擇線，

其中：

所述第一切割線與所述第一切割區(qū)域間隔開第一距離，并與所述第二切割區(qū)域間隔開第二距離，

所述第二切割線與所述第一切割區(qū)域間隔開第三距離，并與所述第二切割區(qū)域間隔開第四距離，

所述第三切割線與所述第一切割區(qū)域間隔開第五距離，并與所述第二切割區(qū)域間隔開第六距離，

所述第一距離與所述第二距離之間的第一差大于所述第五距離與所述第六距離之間的第三差，以及

所述第三距離與所述第四距離之間的第二差大于所述第三差。

2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述第三串選擇線是所述多個(gè)柵電極當(dāng)中的相對于所述襯底的最上面的柵電極。

3.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中：

所述多個(gè)柵電極進(jìn)一步包括在所述第一串選擇線和所述襯底之間的第四串選擇線，以及

所述非易失性存儲器件進(jìn)一步包括切割所述第四串選擇線的第四切割線。

4.如權(quán)利要求3所述的非易失性存儲器件，其中：

所述第四切割線與所述第一切割區(qū)域間隔開第七距離，并與所述第二切割區(qū)域間隔開第八距離，以及

所述第七距離與所述第八距離之間的第四差大于所述第一差且大于所述第二差。

5.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，從平面的視角來看，所述第三切割線在所述第一切割線和所述第二切割線之間。

6.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述溝道結(jié)構(gòu)的在所述第一方向上的寬度在遠(yuǎn)離所述襯底延伸的第三方向上增大。

7.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一切割區(qū)域和所述第二切割區(qū)域沿著與所述第一方向交叉的第二方向并排延伸。

8.如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一切割線、所述第二切割線和所述第三切割線沿著所述第二方向并排延伸。

9.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中：

從平面的視角來看，在所述第一切割線的一側(cè)的所述第一串選擇線的第一面積小于在所述第一切割線的另一側(cè)的所述第一串選擇線的第二面積，以及

從平面的視角來看，在所述第二切割線的一側(cè)的所述第二串選擇線的第三面積小于在所述第二切割線的另一側(cè)的所述第二串選擇線的第四面積。

10.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一切割線的底表面在垂直于所述襯底的上表面的第三方向上比所述第一串選擇線的底表面更靠近所述襯底。

11.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一切割線的在所述第一方向上的寬度在遠(yuǎn)離所述襯底延伸的第三方向上增大。

12.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一切割線的上表面在垂直于所述襯底的上表面的第三方向上比所述第一串選擇線的上表面更遠(yuǎn)離所述襯底。