[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器晶圓測(cè)試方法和測(cè)試裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011096715.3
• 申請(qǐng)日: 2020-10-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112216621A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱淵源
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/66
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制作過(guò)程中存儲(chǔ)器晶圓測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及存儲(chǔ)器晶圓測(cè)試方法和測(cè)試裝置。方法包括：向目標(biāo)存儲(chǔ)器晶圓發(fā)送具有指針變量的測(cè)試指令；依次接收存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)，并存儲(chǔ)；判斷數(shù)據(jù)是否有誤，若有誤，確定被測(cè)芯片包含失效單元；將包含有失效單元的被測(cè)芯片歸類(lèi)為失效組，其他被測(cè)芯片歸類(lèi)為正常組；根據(jù)失效組中的被測(cè)芯片，在測(cè)試電路模塊中開(kāi)設(shè)具有位圖空間，位圖空間與失效組中的被測(cè)芯片一一對(duì)應(yīng)；依次遍歷失效組中被測(cè)芯片各存儲(chǔ)單元，若存儲(chǔ)單元為失效單元，在對(duì)應(yīng)位圖空間的對(duì)應(yīng)位元上標(biāo)注；依次遍歷位圖空間的各個(gè)位元，確定被標(biāo)注的位元；根據(jù)被標(biāo)注的位元，確定失效單元地址。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制作過(guò)程中存儲(chǔ)器晶圓測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種存儲(chǔ)器晶圓測(cè)試方法和測(cè)試裝置。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器晶圓，其上包括若干個(gè)呈陣列分布的存儲(chǔ)器芯片，相鄰存儲(chǔ)器芯片之間間隔有劃片槽。每個(gè)所述存儲(chǔ)器芯片上包括若干個(gè)呈陣列分布的存儲(chǔ)單元，該存儲(chǔ)單元用于具有唯一的單元地址，用于存儲(chǔ)二進(jìn)制信息。

在存儲(chǔ)器晶圓出廠前，需要對(duì)存儲(chǔ)器晶圓上的存儲(chǔ)器芯片進(jìn)行測(cè)試，以判斷存儲(chǔ)器芯片性能的好壞，即存儲(chǔ)器晶圓測(cè)試。在存儲(chǔ)器晶圓測(cè)試中，目標(biāo)存儲(chǔ)器晶圓被安裝在測(cè)試機(jī)臺(tái)上，并與該測(cè)試機(jī)臺(tái)電性耦合。由測(cè)試機(jī)臺(tái)向目標(biāo)存儲(chǔ)器芯片發(fā)送具有特定指針的測(cè)試指令，使得該特定指針?biāo)赶虼鎯?chǔ)單元，輸出存儲(chǔ)在其中的數(shù)據(jù)，若存儲(chǔ)單元不輸出數(shù)據(jù)或者輸出的數(shù)據(jù)有誤，確定該存儲(chǔ)單元為失效單元，并在測(cè)試機(jī)臺(tái)中記錄該失效單元信息。依次讀取該目標(biāo)存儲(chǔ)器芯片中所有的存儲(chǔ)單元后，即完成對(duì)目標(biāo)存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試過(guò)程。測(cè)試完一個(gè)存儲(chǔ)器芯片，測(cè)試機(jī)臺(tái)與下一目標(biāo)存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試焊盤(pán)電性耦合，以繼續(xù)進(jìn)行測(cè)試。

為了提高測(cè)試效率，降低測(cè)試成本，在進(jìn)行存儲(chǔ)器晶圓測(cè)試時(shí)，通常需要對(duì)晶圓上的芯片進(jìn)行并行測(cè)試，即同一時(shí)間內(nèi)對(duì)目標(biāo)晶圓的多個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)器芯片進(jìn)行測(cè)試，或，在單個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)器芯片上同步或異步運(yùn)行多個(gè)測(cè)試任務(wù)，以同時(shí)完成對(duì)目標(biāo)存儲(chǔ)器芯片多項(xiàng)參數(shù)的測(cè)試。

在測(cè)試后期，需要讀取測(cè)試機(jī)臺(tái)中記錄該失效單元信息，并根據(jù)該失效單元信息運(yùn)算出失效單元的單元地址。但是，對(duì)于并行測(cè)試需要重復(fù)失效單元信息，并運(yùn)算得到失效單元的單元地址，從而導(dǎo)致測(cè)試時(shí)間較長(zhǎng)，測(cè)試效率較低。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N存儲(chǔ)器晶圓測(cè)試方法和測(cè)試裝置，可以解決相關(guān)技術(shù)中測(cè)試效率較低的問(wèn)題。

作為本申請(qǐng)的第一方面，提供一種存儲(chǔ)器晶圓測(cè)試方法，所述方法由目標(biāo)存儲(chǔ)器中目標(biāo)被測(cè)區(qū)域的被測(cè)芯片執(zhí)行，所述目標(biāo)被測(cè)區(qū)域中包括至少兩個(gè)被測(cè)芯片；

所述存儲(chǔ)器晶圓測(cè)試方法包括：

接收具有指針變量的測(cè)試指令；所述具有指針變量的測(cè)試指令，是由測(cè)試裝置中的測(cè)試電路模塊發(fā)送，用于根據(jù)所述指針變量中的指針，對(duì)應(yīng)指向被測(cè)芯片中的各個(gè)存儲(chǔ)單元，控制所指向的存儲(chǔ)單元輸出其中的數(shù)據(jù)；

根據(jù)所述指針變量中指針的指向，依次輸出存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)。

一種存儲(chǔ)器晶圓測(cè)試方法，所述存儲(chǔ)器晶圓測(cè)試方法由測(cè)試電路模塊執(zhí)行，包括以下步驟：

向目標(biāo)存儲(chǔ)器晶圓中目標(biāo)被測(cè)區(qū)域的被測(cè)芯片，發(fā)送具有指針變量的測(cè)試指令；

依次接收，根據(jù)所述指針變量中指針的指向，依次輸出的，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)，并存儲(chǔ)；

判斷所述數(shù)據(jù)是否有誤，若有誤，確定所述被測(cè)芯片包含失效單元；

將包含有失效單元的被測(cè)芯片歸類(lèi)為失效組，其他被測(cè)芯片歸類(lèi)為正常組；

根據(jù)所述失效組中的被測(cè)芯片，在所述測(cè)試電路模塊中開(kāi)設(shè)具有位圖空間，所述位圖空間與所述失效組中的被測(cè)芯片一一對(duì)應(yīng)；

依次遍歷所述失效組中被測(cè)芯片各存儲(chǔ)單元，若存儲(chǔ)單元為失效單元，在對(duì)應(yīng)位圖空間的對(duì)應(yīng)位元上標(biāo)注；