[發明專利]存儲器晶圓測試方法和測試裝置

在審

• 申請號: 202011096715.3
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112216621A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 朱淵源
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種存儲器晶圓測試方法，其特征在于，所述方法由目標存儲器晶圓中目標被測區域的被測芯片執行，所述目標被測區域中包括至少兩個被測芯片；

所述存儲器晶圓測試方法包括：

接收具有指針變量的測試指令；所述具有指針變量的測試指令，是由測試裝置中的測試電路模塊發送，用于根據所述指針變量中的指針，對應指向被測芯片中的各個存儲單元，控制所指向的存儲單元輸出其中的數據；

根據所述指針變量中指針的指向，依次輸出存儲單元中的數據。

2.一種存儲器晶圓測試方法，其特征在于，所述存儲器晶圓測試方法由測試電路模塊執行，包括以下步驟：

向目標存儲器晶圓中目標被測區域的被測芯片，發送具有指針變量的測試指令；

依次接收，根據所述指針變量中指針的指向，依次輸出的，存儲在存儲單元中的數據，并存儲；

判斷所述數據是否有誤，若有誤，確定所述被測芯片包含失效單元；

將包含有失效單元的被測芯片歸類為失效組，其他被測芯片歸類為正常組；

根據所述失效組中的被測芯片，在所述測試電路模塊中開設具有位圖空間，所述位圖空間與所述失效組中的被測芯片一一對應；

依次遍歷所述失效組中被測芯片各存儲單元，若存儲單元為失效單元，在對應位圖空間的對應位元上標注；

依次遍歷位圖空間的各個位元，確定被標注的位元；

根據被標注的位元，確定失效單元地址。

3.如權利要求2所述的存儲器晶圓測試方法，其特征在于，所述具有指針變量的測試指令，是由測試裝置中的測試電路模塊發送，用于根據所述指針變量中的指針，對應指向被測芯片中的各個存儲單元，控制所指向的存儲單元輸出其中的數據。

4.如權利要求2所述的存儲器晶圓測試方法，其特征在于，所述判斷所述數據是否有誤，若有誤，確定所述被測芯片包含失效單元的步驟，包括：

獲取預先寫入被測芯片中的期望數據；

將從被測芯片輸出并存儲在所述測試電路模塊中的數據，與，所述期望數據進行比較；

當比較結果不一致，確定所述被測芯片包含失效單元。

5.如權利要求2所述的存儲器晶圓測試方法，其特征在于，所述位圖空間包括多個位元，一個位圖空間中的位元，與，對應被測芯片中的存儲單元一一對應。

6.如權利要求2所述的存儲器晶圓測試方法，其特征在于，在遍歷所述失效組中被測芯片的存儲單元時，判斷所述存儲單元中的數據是否有誤，若有誤確定所述存儲單元為失效單元。

7.如權利要求6所述的存儲器晶圓測試方法，其特征在于，所述判斷所述存儲單元中的數據是否有誤的步驟，包括：

獲取預先寫入被測芯片中的期望數據；

將存儲在所述測試電路模塊中的數據，與，所述期望數據按位依次進行比較；

當對應數位上的比較比較結果不一致，確定所述數位對應的存儲單元為失效單元。

8.如權利要求2所述的存儲器晶圓測試方法，其特征在于，所述測試電路模塊包括：

第一存儲單元，所述第一存儲單元包括多個存儲區，每個存儲區用于存儲目標被測區域輸出的數據；每個所述存儲區包括多個存儲片，每個所述存儲片對應目標被測區域的一個被測芯片，用于存儲一個所述被測芯片輸出的數據；每個所述存儲片中包括多個存儲位，每個所述存儲位對應被測芯片的一個存儲單元，用于存儲一個所述存儲單元輸出的數據。

9.如權利要求2所述存儲器晶圓測試方法，其特征在于，所述測試電路模塊包括：

第二存儲單元，所述位圖空間設于所述第二存儲單元中。

10.一種存儲器晶圓測試裝置，其特征在于，包括測試電路模塊，所述測試電路模塊包括：存儲單元和處理單元，所述存儲單元中存儲有至少一條程序，所述程序由所述處理單元加載并執行以實現如權利要求2至7中任一項所述的存儲器晶圓測試方法。