[發明專利]三維存儲器的封裝連接結構的形成方法及三維存儲器

在審

• 申請號: 202011096429.7
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112331657A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 伍術;王永慶;肖亮;王溢歡;尹朋岸;嚴孟;王歡
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 高園園

1.一種三維存儲器的封裝連接結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供三維存儲器，所述三維存儲器的第一表面具有裸露的焊盤結構；

在所述三維存儲器的第一表面上形成第一介電層，所述第一介電層至少覆蓋所述焊盤結構；

在所述第一介電層上形成第二介電層，所述第二介電層至少覆蓋所述第一介電層，且刻蝕所述第二介電層時所述第二介電層的刻蝕速率高于所述第一介電層的刻蝕速率；

進行第一次刻蝕，去除待刻蝕區上的第二介電層，所述第一次刻蝕停留在所述第一介電層上；

進行第二次刻蝕，去除所述待刻蝕區上的第一介電層及所述待刻蝕區上的焊盤結構的一部分，所述第二次刻蝕停留在所述焊盤結構中，在所述焊盤結構中形成一個凹槽。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器的封裝連接結構的形成方法，其特征在于，所述待刻蝕區指所述焊盤結構在所述三維存儲器的第一表面的垂直方向上的投影的局部區域。

3.根據權利要求2所述的三維存儲器的封裝連接結構的形成方法，其特征在于，所述三維存儲器的第一表面具有多個所述焊盤結構，在所述三維存儲器的第一表面上形成所述第一介電層的步驟包括：

至少對所述三維存儲器的第一表面進行清洗；

在所述三維存儲器的第一表面上沉積形成所述第一介電層，所述第一介電層至少覆蓋多個所述焊盤結構。

4.根據權利要求3所述的三維存儲器的封裝連接結構的形成方法，其特征在于，在所述第一介電層上形成所述第二介電層的步驟包括：

至少對所述第一介電層的裸露表面進行清洗；

在所述第一介電層上沉積形成所述第二介電層。

5.根據權利要求4所述的三維存儲器的封裝連接結構的形成方法，其特征在于，在形成所述第二介電層之后，在進行所述第一次刻蝕之前，所述三維存儲器的封裝連接結構的形成方法還包括：

至少對所述第二介電層的裸露表面進行清洗。

6.根據權利要求5所述的三維存儲器的封裝連接結構的形成方法，其特征在于，進行所述第一次刻蝕的步驟包括：

沿著所述三維存儲器的第一表面的垂直方向，利用第一等離子體進行刻蝕，去除多個所述待刻蝕區上的第二介電層；

其中，多個所述待刻蝕區與多個所述焊盤結構一一對應。

7.根據權利要求6所述的三維存儲器的封裝連接結構的形成方法，其特征在于，在進行所述第一次刻蝕之后，在進行所述第二次刻蝕之前，所述三維存儲器的封裝連接結構的形成方法還包括：

至少對所述第一次刻蝕的刻蝕區域進行清洗。

8.根據權利要求7所述的三維存儲器的封裝連接結構的形成方法，其特征在于，進行所述第二次刻蝕的步驟包括：

沿著所述三維存儲器的第一表面的垂直方向，利用第二等離子體進行刻蝕，去除多個所述待刻蝕區上的第一介電層，以及去除多個所述待刻蝕區上的焊盤結構的一部分，在每個所述焊盤結構中分別形成一個所述凹槽。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的三維存儲器的封裝連接結構的形成方法，其特征在于，所述焊盤結構包括金屬阻擋層、金屬焊盤層以及焊盤阻擋層，所述金屬阻擋層與所述三維存儲器中的金屬互連結構電連接，所述金屬焊盤層設置在所述金屬阻擋層上，所述焊盤阻擋層設置在所述金屬焊盤層上，所述第一介電層至少設置在所述焊盤阻擋層上，所述第二次刻蝕停留在所述金屬焊盤層中。

10.根據權利要求1～8中任一項所述的三維存儲器的封裝連接結構的形成方法，其特征在于，在所述第二次刻蝕之后，所述三維存儲器的封裝連接結構的形成方法還包括：

至少對所述第二次刻蝕的刻蝕區域進行清洗；

在所述凹槽中形成金屬連接結構，通過所述金屬連接結構將所述焊盤結構電引出。

11.根據權利要求10所述的三維存儲器的封裝連接結構的形成方法，其特征在于，所述金屬連接結構至少包括：金屬線結構、金屬球結構。