[發明專利]一種引線框架的電鍍工藝在審
| 申請號： | 202011094392.4 | 申請日： | 2020-10-14 |
| 公開（公告）號： | CN112176377A | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發明（設計）人： | 康亮;康小明;馬文龍;孫飛鵬 | 申請（專利權）人： | 天水華洋電子科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C25D7/00 | 分類號： | C25D7/00;C25F1/00;C25D5/10;C25D5/02;C25D3/38;C25D3/46;C25D5/48;C25D5/34 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230 | 代理人： | 謝建 |
| 地址： | 741020 *** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 引線 框架 電鍍 工藝 | ||
1.一種引線框架的電鍍工藝，包括以下步驟：
上料→電解除油脫脂→清洗→酸洗→中和→清洗→預鍍銅→清洗→鍍銅→清洗→預鍍銀→清洗→局部鍍銀→銀回收→退銀→氰化清洗→防銅變色→清洗→烘干→下料
S1.將引線框架放入電解溶液中電解30～120s，電解過程中采用超聲波循環攪拌，然后用自來水清洗后吹干；
S2..將步驟S1中處理過的引線框架放入H2 S04溶液在室溫下浸泡10～20s，然后用自來水清洗，再用去離子水清洗后吹干；
S3.將經過步驟S2處理過的引線框架放入KCN溶液中中和酸性物質；
S4.將經過步驟S3處理過的引線框架放入堿性銅鍍液中電沉積20～25s，然后用去離子水清洗吹干；
S5.將經過步驟S4處理過的引線框架放入酸性銅鍍液中電沉積20～25s，然后用去離子水清洗后吹干；
S6.將經過步驟S5處理過的引線框架侵入預鍍銀液中電沉積3～5s，然后用去離子水清洗后吹干；
S7.將經過步驟S6處理過的引線框架的功能區侵入到局部銀鍍液中電沉積3～5s，然后用去離子水清洗后吹干；
S8.將經過步驟S7處理過的引線框架再經過銀回收、退銀后將引線框架再置于氰化鉀溶液中；
S9.將經過步驟S8處理過的引線框架侵入在Cuprotec溶液中，電沉積20～25s，然后用去離子水清洗后吹干。
2.根據權利要求1所述的一種引線框架的電鍍工藝，其特征在于：所述步驟S1中電解溶液的溫度保持在35～50℃，電流密度為2～10A/dm2。
3.根據權利要求1所述的一種引線框架的電鍍工藝，其特征在于：所述步驟S2中H2 S04的質量濃度為10～15％。
4.根據權利要求1所述的一種引線框架的電鍍工藝，其特征在于：所述步驟S3中KCN的質量濃度為15～30g/L。
5.根據權利要求1所述的一種引線框架的電鍍工藝，其特征在于：所述步驟S8中所述氰化鉀溶液質量濃度為1％。
6.根據權利要求1所述的一種引線框架的電鍍工藝，其特征在于：所述步驟S9中Cuprotec溶液的濃度為15～30mL/L，pH12.5～14，溫度35～50℃，處理時間190～220s。
7.根據權利要求1所述的一種引線框架的電鍍工藝，其特征在于：所述鍍銅層的純度大于99.％，厚度大于3.5um。
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