[發明專利]一種引線框架的電鍍工藝

在審

• 申請號: 202011094392.4
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112176377A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 康亮;康小明;馬文龍;孫飛鵬
• 申請（專利權）人: 天水華洋電子科技股份有限公司
• 主分類號: C25D7/00
• 分類號: C25D7/00;C25F1/00;C25D5/10;C25D5/02;C25D3/38;C25D3/46;C25D5/48;C25D5/34
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 謝建

本發明屬于引線框架表面處理技術領域，具體涉及一種引線框架的電鍍工藝。一種引線框架的電鍍工藝，采用上料→電解除油脫脂→清洗→酸洗→中和→清洗→預鍍銅→清洗→鍍銅→清洗→預鍍銀→清洗→局部鍍銀→銀回收→退銀→氰化清洗→防銅變色→清洗→烘干→下料等一系列的工藝實現了，在后期鍍銅及鍍銀時可得到均勻的鍍層，將經過銀回收、退銀后處理的將引線框架再置于氰化鉀溶液中改善了鍍銀膜的焊接濕潤性提高了芯片的焊接質量。

技術領域

本發明屬于引線框架表面處理技術領域，具體涉及一種引線框架的電鍍工藝。

背景技術

近年來，電子信息產業得到迅猛的發展，集成電路技術的貢獻頗多。一個集成電路元件，除了需要集成電路芯片外，還需要有引線框架、金絲、塑料封裝等多種材料，經多道工序加工才能完成。在集成電路元件的生產過程中，集成電路引線框架起到承接集成電路芯片的重要作用，它給集成電路芯片提供了基座、焊接引線及導腳，為達成框架與芯片及金絲間的可焊性和集成電路元件的電參數性能，集成電路引線框架需要進行表面處理，即電鍍。因此對電鍍過程的控制頗為重要。

但是，現有的工藝得到的鍍層的焊接濕潤性較差，焊接濕潤性直接影響了焊接質量；為此我們提出一種引線框架的電鍍工藝。

發明內容

本發明的目的主要是針對上述現有技術現狀，提出一種引線框架的電鍍工藝，以解決現有技術中存在的問題。

為了實現所述目的，本發明具體采用如下技術方案：

一種引線框架的電鍍工藝，包括以下步驟：

上料→電解除油脫脂→清洗→酸洗→中和→清洗→預鍍銅→清洗→鍍銅→清洗→預鍍銀→清洗→局部鍍銀→銀回收→退銀→氰化清洗→防銅變色→清洗→烘干→下料

S1.將引線框架放入電解溶液中電解30～120s，電解過程中采用超聲波循環攪拌，然后用自來水清洗后吹干；

S2..將步驟S1中處理過的引線框架放入H₂ S0₄溶液在室溫下浸泡10～20s，然后用自來水清洗，再用去離子水清洗后吹干；

S3.將經過步驟S2處理過的引線框架放入KCN溶液中中和酸性物質；

S4.將經過步驟S3處理過的引線框架放入堿性銅鍍液中電沉積20～25s，然后用去離子水清洗吹干；

S5.將經過步驟S4處理過的引線框架放入酸性銅鍍液中電沉積20～25s，然后用去離子水清洗后吹干；

S6.將經過步驟S5處理過的引線框架侵入預鍍銀液中電沉積3～5s，然后用去離子水清洗后吹干；

S7.將經過步驟S6處理過的引線框架的功能區侵入到局部銀鍍液中電沉積3～5s，然后用去離子水清洗后吹干；

S8.將經過步驟S7處理過的引線框架再經過銀回收、退銀后將引線框架再置于氰化鉀溶液中；

S9.將經過步驟S8處理過的引線框架侵入在Cuprotec溶液中，電沉積20～25s，然后用去離子水清洗后吹干；

進一步地，所述步驟S1中電解溶液的溫度保持在35～50℃，電流密度為2～10A/dm²。

進一步地，所述步驟S2中H₂ S0₄的濃度為10～15％。

進一步地，所述步驟S3中KCN的質量濃度為15～30g/L。

進一步地，所述步驟S8中所述氰化鉀溶液質量濃度為1％。

進一步地，所述步驟S9中Cuprotec溶液的濃度為15～30mL/L，pH12.5～14，溫度35～50℃，處理時間190～220s。