[發(fā)明專利]一種HBC太陽(yáng)能電池及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011094383.5
• 申請(qǐng)日: 2020-10-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112420879A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊新強(qiáng);高禮強(qiáng);陳剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江愛(ài)旭太陽(yáng)能科技有限公司;廣東愛(ài)旭科技有限公司;天津愛(ài)旭太陽(yáng)能科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/20
• 分類號(hào): H01L31/20;H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/0216
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓;李素蘭

本發(fā)明公開(kāi)了一種HBC太陽(yáng)能電池的制備方法，在硅基體背面的正型摻雜區(qū)內(nèi)形成正型摻雜層，在第二背面鈍化層上形成負(fù)型摻雜層，所述正型摻雜層和負(fù)型摻雜層位于不同平面，形成天然隔離的叉指狀結(jié)構(gòu)，從而相互絕緣；本發(fā)明還公開(kāi)了一種HBC太陽(yáng)能電池，包括硅基體，所述硅基體背面包括相互間隔排列的正型摻雜區(qū)和負(fù)型摻雜區(qū)；在硅基體內(nèi)形成正型摻雜層；所述負(fù)型摻雜區(qū)下方依次設(shè)有第二背面鈍化層、負(fù)型摻雜層和第二電極；所述正型摻雜區(qū)下方依次設(shè)有第一背面鈍化層、電場(chǎng)層和第一電極。采用本發(fā)明，能夠簡(jiǎn)化HBC太陽(yáng)能生產(chǎn)工序，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，實(shí)現(xiàn)HBC太陽(yáng)能電池規(guī)模化生產(chǎn)，從而獲得結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低的HBC太陽(yáng)能電池。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種HBC太陽(yáng)能電池及其制備方法。

背景技術(shù)

HBC電池結(jié)合了背接觸電池全面受光和HJT電池高質(zhì)量鈍化的優(yōu)勢(shì)，成為晶硅太陽(yáng)能電池中效率最高的電池種類，其實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到26.63％。隨著技術(shù)的發(fā)展，HBC電池的電池片效率得到了大幅度提高，進(jìn)而使HBC電池本身的單瓦發(fā)電量得到提高，有利于降低整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的LCOE。

公開(kāi)號(hào)為CN107210331B的太陽(yáng)能電池及其制造方法，公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池，太陽(yáng)能電池在晶體硅基板的第一主面上具有N型半導(dǎo)體層及P型半導(dǎo)體層，該電池結(jié)構(gòu)需要在P型半導(dǎo)體層與N型半導(dǎo)體層之間沉積絕緣層及基底保護(hù)層，實(shí)現(xiàn)P/N之間的隔離。

現(xiàn)有技術(shù)中HBC電池存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜，制造工藝步驟較多，設(shè)備投入高，質(zhì)量難控制等問(wèn)題，限制了HBC電池規(guī)模化生產(chǎn)，因此，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工藝簡(jiǎn)便的HBC太陽(yáng)能電池及其制作方法是市場(chǎng)所需要的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，提供一種HBC太陽(yáng)能電池的制備方法，能夠形成隧穿結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化HBC太陽(yáng)能生產(chǎn)工序，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題還在于，提供一種HBC太陽(yáng)能電池。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種HBC太陽(yáng)能電池的制備方法，包括：

選取硅基體；所述硅基體包括正面和背面，所述硅基體背面包括相互間隔排列的正型摻雜區(qū)和負(fù)型摻雜區(qū)；

在硅基體背面的正型摻雜區(qū)進(jìn)行摻雜，在硅基體內(nèi)形成正型摻雜層；

在硅基體正面沉積正面鈍化層，在硅基體背面形成背面鈍化層；所述背面鈍化層包括第一背面鈍化層和第二背面鈍化層；所述第一背面鈍化層設(shè)于所述正型摻雜區(qū)上，所述第二背面鈍化層設(shè)于所述負(fù)型摻雜區(qū)上；

在正面鈍化層上形成減反層；

在所述第二背面鈍化層上形成第一掩膜層；

在所述第一掩膜層和所述第一背面鈍化層上形成電場(chǎng)層；

清洗硅基體背面，去除第一掩膜層和第一掩膜層上的電場(chǎng)層；

在所述電場(chǎng)層上形成第二掩膜層；

在所述第二掩膜層和所述第二背面鈍化層上形成負(fù)型摻雜層；

清洗硅基體背面，去除第二掩膜層和所述第二掩膜層上的負(fù)型摻雜層；

利用激光或光刻工藝，在所述負(fù)型摻雜層與電場(chǎng)層之間形成凹槽，所述凹槽穿透背面鈍化層，以使正型摻雜層和負(fù)型摻雜層相絕緣；

在所述電場(chǎng)層上形成第一電極，在所述負(fù)型摻雜層上形成第二電極；

其中，所述電場(chǎng)層與所述第一背面鈍化層形成隧穿結(jié)構(gòu)，所述負(fù)型摻雜層與所述第二背面鈍化層形成隧穿結(jié)構(gòu)。