[發(fā)明專利]一種HBC太陽能電池及其制備方法

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• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112420879A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設計）人: 楊新強;高禮強;陳剛
• 申請（專利權）人: 浙江愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/0216
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓;李素蘭

1.一種HBC太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：

選取硅基體；所述硅基體包括正面和背面，所述硅基體背面包括相互間隔排列的正型摻雜區(qū)和負型摻雜區(qū)；

在硅基體背面的正型摻雜區(qū)進行摻雜，在硅基體內形成正型摻雜層；

在硅基體正面沉積正面鈍化層，在硅基體背面形成背面鈍化層；所述背面鈍化層包括第一背面鈍化層和第二背面鈍化層；所述第一背面鈍化層設于所述正型摻雜區(qū)上，所述第二背面鈍化層設于所述負型摻雜區(qū)上；

在正面鈍化層上形成減反層；

在所述第二背面鈍化層上形成第一掩膜層；

在所述第一掩膜層和所述第一背面鈍化層上形成電場層；

清洗硅基體背面，去除第一掩膜層和第一掩膜層上的電場層；

在所述電場層上形成第二掩膜層；

在所述第二掩膜層和所述第二背面鈍化層上形成負型摻雜層；

清洗硅基體背面，去除第二掩膜層和所述第二掩膜層上的負型摻雜層；

利用激光或光刻工藝，在所述負型摻雜層與電場層之間形成凹槽，所述凹槽穿透背面鈍化層，以使正型摻雜層和負型摻雜層相絕緣；

在所述電場層上形成第一電極，在所述負型摻雜層上形成第二電極；

其中，所述電場層與所述第一背面鈍化層形成隧穿結構，所述負型摻雜層與所述第二背面鈍化層形成隧穿結構。

2.如權利要求1所述的HBC太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述背面鈍化層為SiO₂層、Al₂O₃層、本征非晶硅層中的一種或組合；

所述背面鈍化層的厚度為1～10nm。

3.如權利要求1或2所述的HBC太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述背面鈍化層為SiO₂層，其通過HNO₃熱氧化工藝形成。

4.如權利要求1所述的HBC太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述電場層為正型摻雜非晶硅層和/或正型摻雜多晶硅層；

所述負型摻雜層為負型摻雜多晶硅層或負型摻雜非晶硅層。

5.如權利要求1所述的HBC太陽能電池的制備方法，其特征在于，采用擴散法或離子注入法，在硅基體背面的正型摻雜區(qū)內制備正型摻雜層；

當所述硅基體為N型時，則所述正型摻雜層為N+型；當所述硅基體為P型時，則所述正型摻雜層為P+型。

6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用PECVD設備在正面鈍化層上沉積減反層；

所述減反層的厚度為50-150nm；

所述減反層為氮化硅層、氧化硅層、氮氧化硅層、氟化鎂層的一種或組合。

7.一種HBC太陽能電池，其特征在于，包括：硅基體，所述硅基體設有正面和背面；所述硅基體背面包括相互間隔排列的正型摻雜區(qū)和負型摻雜區(qū)；在硅基體內形成正型摻雜層；

所述負型摻雜區(qū)下方依次設有第二背面鈍化層、負型摻雜層和第二電極；所述負型摻雜層與所述第二背面鈍化層形成隧穿結構；

所述正型摻雜區(qū)下方依次設有第一背面鈍化層、電場層和第一電極；所述電場層和所述第一背面鈍化層形成隧穿結構；所述負型摻雜層與電場層之間形成凹槽，所述凹槽穿透背面鈍化層，以使正型摻雜層和負型摻雜層相絕緣；

所述硅基體正面上方依次設有正面鈍化層和減反層。

8.如權利要求7所述的HBC太陽能電池，其特征在于，所述正面鈍化層為SiO₂層、Al₂O₃層、本征非晶硅層中的一種或組合；所述背面鈍化層為Si0₂層；

所述電場層為正型摻雜非晶硅層或正型摻雜多晶硅層；所述負型摻雜層為負型摻雜非晶硅層或負型摻雜多晶硅層。

9.如權利要求7所述的HBC太陽能電池，其特征在于，所述正面鈍化層和背面鈍化層的厚度均為1～10nm；所述電場層和負型摻雜層的厚度均為1～100nm；所述減反層的厚度為50-150nm。