[發明專利]一種TFET器件研究用模擬系統有效
| 申請號: | 202011093925.7 | 申請日: | 2020-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN112379238B | 公開(公告)日: | 2023-07-28 |
| 發明(設計)人: | 許會芳;王娜;孫雯 | 申請(專利權)人: | 安徽科技學院 |
| 主分類號: | G01R31/26 | 分類號: | G01R31/26;G01R1/04 |
| 代理公司: | 合肥信誠兆佳知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 34159 | 代理人: | 鄧勇 |
| 地址: | 233100 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 tfet 器件 研究 模擬 系統 | ||
1.一種TFET器件研究用模擬系統,包括底板(1),其特征在于,所述底板(1)的貫穿有第一通孔(2),所述第一通孔(2)的底部安裝有推動機構(3),所述第一通孔(2)的頂部開口處安裝有與底板(1)頂部固接的矩形結構的承載機構(4),所述承載機構(4)外側安裝有與底板(1)頂部固接的罩殼(5),所述承載機構(4)相鄰的兩側外側壁均安裝有與罩殼(5)固接的襯底上料機構(7),所述襯底上料機構(7)的正下方安裝有位于底板(1)頂部的襯底輸送機構(8),所述承載機構(4)的頂部安裝有與罩殼(5)頂部內側壁固結的頂端上料機構(6),所述頂端上料機構(6)的底部一側安裝有與罩殼(5)固結的側邊輸送機構(9);
所述承載機構(4)包括與底板(1)頂部固接的矩形結構的承載板(41),所述承載板(41)貫穿有沿豎直方向設置的放置槽(42),且放置槽(42)與第一通孔(2)連通,所述承載板(41)與相鄰的一個襯底上料機構(7)相鄰的一側開設有與放置槽(42)連通的第一伸入通道(43),所述第一伸入通道(43)的兩側內側壁均開設有沿豎直方向等距設置的第一限制槽(44),且第一限制槽(44)延伸并凹陷在放置槽(42)相鄰的內側壁上,所述承載板(41)與相鄰的另一個襯底上料機構(7)相鄰的一側開設有與放置槽(42)連通的第二伸入通道(45),所述第二伸入通道(45)的兩側內側壁均開設有沿豎直方向等距設置的第二限制槽(46),且第二限制槽(46)延伸并凹陷在放置槽(42)相鄰的內側壁上,第二限制槽(46)與第一限制槽(44)交錯設置,利用襯底上料機構(7)將TFET器件的襯底沿第一伸入通道(43)和第二伸入通道(45)輸送至第一限制槽(44)和第二限制槽(46),利用頂端上料機構(6)將TFET器件的外延層、柵介質層、柵極層、源區和漏區放置在承載板(41)頂部。
2.根據權利要求1所述的一種TFET器件研究用模擬系統,其特征在于,所述頂端上料機構(6)包括與罩殼(5)頂部內側壁固結的第一推動機構,第一推動機構的底部固接有安裝板(61),安裝板(61)的兩側均開設有卡槽(62),卡槽(62)的內部滑動連接有第一推板(63),第一推板(63)相互靠近的一側均安裝有與安裝板(61)頂部固接的第二推動機構(65),第一推板(63)的底部固接有第一吸附板(64),兩組第一吸附板(64)相互靠近的一側安裝有與安裝板(61)底部固接的第二吸附板(66),兩組第一推板(63)相互遠離的一側固接有沿豎直方向設置的第三推動機構,第三推動機構的底部固接有橫板(67),兩組橫板(67)相互遠離的一側底部均固接有檢測探針(68)。
3.根據權利要求1所述的一種TFET器件研究用模擬系統,其特征在于,所述襯底上料機構(7)包括與罩殼(5)內側壁固結且沿豎直方向設置的第四推動機構(71),第四推動機構(71)靠近承載機構(4)的一側輸出端固接有沿水平方向設置的第五推動機構(72),第五推動機構(72)靠近承載機構(4)的輸出端固接有支桿(73),支桿(73)靠近承載機構(4)的一側固接有沿其長度方向分布的吸附桿(74)。
4.根據權利要求1所述的一種TFET器件研究用模擬系統,其特征在于,所述襯底輸送機構(8)包括開設在底板(1)且沿相鄰襯底上料機構(7)長度方向設置的內凹槽,內凹槽的底部內側壁安裝有沿其長度方向設置的第六推動機構,第六推動機構的頂部輸出端安裝有第一放料板。
5.根據權利要求1所述的一種TFET器件研究用模擬系統,其特征在于,所述側邊輸送機構(9)包括開設在罩殼(5)上的進料口,進料口的一側固接有第七推動機構,第七推動機構的一側固接有第二放料板。
6.根據權利要求1所述的一種TFET器件研究用模擬系統,其特征在于,所述推動機構(3)包括與第一通孔(2)滑動套接的頂板,頂板的底部安裝有第八推動機構,第八推動機構的底部安裝有與底板(1)固接的支架。
7.根據權利要求3所述的一種TFET器件研究用模擬系統,其特征在于,所述吸附桿(74)采用中空結構,吸附桿(74)的頂部開設有與其內部連通的第一吸附孔,吸附桿(74)的一側固接有與其內部連通的第一抽氣管。
8.根據權利要求2所述的一種TFET器件研究用模擬系統,其特征在于,所述第一吸附板(64)和第二吸附板(66)均采用中空結構,第一吸附板(64)和第二吸附板(66)的底部均開設有與其內部連通的第二吸附孔,第一吸附板(64)和第二吸附板(66)的一側均固接有與其內部連通的第二抽氣管。
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