[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011093878.6
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112259694A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 苗洋
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32;H01L21/77;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 王紅紅

1.一種顯示面板，其特征在于，包括：

襯底層，包括基板以及設(shè)置于所述基板上的薄膜晶體管器件層；

發(fā)光功能層，設(shè)置于所述襯底層上，所述發(fā)光功能層包括發(fā)光器件層、像素定義層以及位于所述像素定義層上的陰極層，所述像素定義層具有多個像素開口，且所述多個像素開口中的每一者內(nèi)皆設(shè)置有所述發(fā)光器件層，所述陰極層至少連續(xù)地覆蓋所述多個像素開口并與所述發(fā)光器件層搭接；

光提取薄膜，對應所述多個像素開口設(shè)置于所述陰極層上；以及

導通層，設(shè)置于所述陰極層上，且所述導通層在所述像素定義層上的投影與所述多個像素開口相錯開。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述光提取薄膜的材料包括親水性納米顆粒，且所述光提取薄膜內(nèi)具有有序的微納米結(jié)構(gòu)，其中所述親水性納米顆粒形成的晶粒尺寸介于10nm至100nm之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述光提取薄膜的材料包括具有親水性的金屬氧化物納米顆粒。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述導通層的材料包括疏水性導電材料，且所述疏水性導電材料包括納米銀或石墨烯。

5.一種顯示面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

S10、制備薄膜晶體管器件層于基板上，以形成襯底層；

S20、制備發(fā)光功能層于所述襯底層上，且所述發(fā)光功能層包括發(fā)光器件層、像素定義層以及位于所述像素定義層上的陰極層，所述像素定義層具有多個像素開口，且所述多個像素開口中的每一者內(nèi)皆設(shè)置有所述發(fā)光器件層，所述陰極層至少連續(xù)地覆蓋所述多個像素開口并與所述發(fā)光器件層搭接；

S30、對應所述多個像素開口制備光提取薄膜于所述陰極層上；以及

S40、制備導通層于所述陰極層上，且所述導通層在所述像素定義層上的投影與所述多個像素開口相錯開。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟S30包括：

S301、對應所述多個像素開口將親水性納米顆粒溶液制于所述陰極層上，以形成納米顆粒薄膜；以及

S302、對所述納米顆粒薄膜進行退火處理或等離子處理，以形成所述光提取薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述親水性納米顆粒包括具有親水性的金屬氧化物納米顆粒，且所述光提取薄膜內(nèi)具有有序的微納米結(jié)構(gòu)，其中所述親水性納米顆粒形成的晶粒尺寸介于10nm至100nm之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟S40中，采用疏水性導電材料于所述陰極層上整面制備所述導通層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟S40中，采用整面轉(zhuǎn)印工藝制備所述導通層，且所述疏水性導電材料包括納米銀或石墨烯。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟S40還包括：制備封裝層覆蓋所述像素定義層、所述光提取薄膜以及所述導通層，并于所述封裝層背向所述襯底層一側(cè)設(shè)置蓋板，且所述蓋板通過粘附層貼附于所述封裝層背向所述襯底層的一側(cè)。