[發明專利]一種晶圓級QFN封裝結構及其封裝方法在審
| 申請號: | 202011091330.8 | 申請日: | 2020-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN114361038A | 公開(公告)日: | 2022-04-15 |
| 發明(設計)人: | 狄云翔 | 申請(專利權)人: | 中芯集成電路(寧波)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/488 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶圓級 qfn 封裝 結構 及其 方法 | ||
本發明公開了一種晶圓級QFN封裝結構及其封裝方法,晶圓級QFN封裝方法包括:提供臨時襯底;在臨時襯底上形成互連層,互連層具有第一連接層;提供芯片,芯片具有相對的第一表面和第二表面,芯片第二表面具有第一襯墊;將芯片設置在互連層上,使芯片第一表面與互連層相對;將第一連接層與第一襯墊連接;在臨時襯底上形成塑封層,塑封層覆蓋芯片和互連層;去除臨時襯底。本發明通過在臨時襯底上形成互連層,使芯片的第一襯墊與第一連接層連接,實現芯片與互連層的電連接,同時去除臨時襯底之后,在晶圓級實現芯片的封裝,從而替代QFN基板,實現更小的封裝體積。
技術領域
本發明涉及半導體器件制造領域,尤其涉及一種晶圓級QFN封裝結構及其封裝方法。
背景技術
隨著社會的發展,社會對芯片的要求向更小、更薄發展。減小電子器件體積的一個方法就是增加芯片的復雜度來減小在器件中占有的空間。同時,縮小芯片封裝外殼的體積也可以達到這個目標。傳統的QFN(Quad Flat No-lead Package)是方形扁平無引腳封裝,其底部有大面積的散熱焊盤,具有良好的電和熱性能、體積小、重量輕、其應用正在快速增長。傳統封裝工藝通常是先將芯片粘貼在基板時,通過引線鍵合工藝將芯片的引腳引出。通過塑封和切筋工藝成型。但傳統封裝工藝的基板通過轉孔工藝進行機械加工,其線寬、線距難以進一步縮減,無法進一步滿足對封裝小型化的要求。
因此,如何改善QFN封裝方法,克服現有技術的不足,降低QFN封裝結構的體積和成本是目前面臨的問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種晶圓級QFN封裝結構及其封裝方法,能夠解決晶圓級QFN封裝結構的體積和成本難以進一步減小的問題。
為了實現上述目的,本發明提供一種晶圓級QFN封裝方法,包括:
提供臨時襯底;
在所述臨時襯底上形成互連層,所述互連層具有第一連接層;
提供芯片,所述芯片具有相對的第一表面和第二表面,所述芯片第二表面具有第一襯墊;
將所述芯片設置在所述互連層上,使所述芯片第一表面與所述互連層相對;
將所述第一連接層與所述第一襯墊連接;
在所述臨時襯底上形成塑封層,所述塑封層覆蓋所述芯片和所述互連層;
去除所述臨時襯底。
本發明還提供一種晶圓級QFN封裝結構,包括:
芯片,所述芯片具有第一表面和第二表面,所述芯片第二表面具有第一襯墊;
互連層,位于所述芯片的第一表面,所述互連層具有第一連接層,所述第一連接層與所述第一襯墊連接;
塑封層,所述塑封層覆蓋所述芯片和所述互連層,暴露出所述互連層遠離所述芯片的表面。
本發明的有益效果在于:
本發明實施例中通過在臨時襯底上形成互連層,使芯片的第一襯墊與第一連接層連接,實現芯片與互連層的電連接,同時去除臨時襯底之后,在晶圓級實現芯片的封裝,從而替代QFN基板,實現更小的封裝體積。
進一步地,通過在互連層靠近芯片的表面設置有第一保持層,遠離芯片的表面設置第二保持層,防止互連層表面被氧化,提高互連層的金屬可焊性,從而提高封裝結構的可靠性和成品率。
進一步地,通過切割工藝,形成獨立的封裝器件,每個封裝器件包括至少一個芯片和對應連接的第一連接層,切割前的電子元件數量越多,封裝成本也越低。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





