[發明專利]一種晶圓級QFN封裝結構及其封裝方法

在審

• 申請號: 202011091330.8
• 申請日: 2020-10-13
• 公開（公告）號: CN114361038A
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 狄云翔
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/488
• 代理公司: 北京思創大成知識產權代理有限公司 11614
• 代理人: 劉亭

1.一種晶圓級QFN封裝方法，其特征在于，包括：

提供臨時襯底；

在所述臨時襯底上形成互連層，所述互連層具有第一連接層；

提供芯片，所述芯片具有相對的第一表面和第二表面，所述芯片第二表面具有第一襯墊；

將所述芯片設置在所述互連層上，使所述芯片第一表面與所述互連層相對；

將所述第一連接層與所述第一襯墊連接；

在所述臨時襯底上形成塑封層，所述塑封層覆蓋所述芯片和所述互連層；

去除所述臨時襯底。

2.根據權利要求1所述的晶圓級QFN封裝方法，其特征在于，所述互連層還包括第二連接層，所述第二連接層與所述第一連接層相互隔離；所述芯片設置在所述第二連接層上。

3.根據權利要求2所述的晶圓級QFN封裝方法，其特征在于，

所述芯片還包括位于所述芯片第一表面的第二襯墊，所述第二襯墊與所述第二連接層電連接。

4.根據權利要求1或2所述的晶圓級QFN封裝方法，其特征在于，形成所述互連層的方法包括：在所述臨時襯底上形成導電材料層，圖形化所述導電材料層，形成所述互連層，所述互連層包括所述第一連接層。

5.根據權利要求1所述的晶圓級QFN封裝方法，其特征在于，

所述芯片設置在所述互連層上包括：

在所述互連層上形成粘合層，通過使所述芯片第一表面粘貼在所述互連層上；

將所述第一連接層與所述第一襯墊連接包括：

通過引線鍵合工藝使所述第一連接層與所述第一襯墊通過引線連接。

6.根據權利要求3或4所述的晶圓級QFN封裝方法，其特征在于，所述粘合層的材料包括：銀漿、錫膏、導電膠水或導電膠帶。

7.根據權利要求1所述的晶圓級QFN封裝方法，其特征在于，在形成所述互連層之前，還包括：在所述臨時襯底上形成隔離層，所述隔離層覆蓋所述臨時襯底。

8.根據權利要求7所述的晶圓級QFN封裝方法，其特征在于，所述隔離層的材料包括臨時鍵合膠或熱膨脹膠帶。

9.根據權利要求1所述的晶圓級QFN封裝方法，其特征在于，在形成所述互連層之后，將所述芯片設置在所述互連層上之前，還包括：在所述互連層上形成第一保持層。

10.根據權利要求1所述的晶圓級QFN封裝方法，其特征在于，去除所述臨時襯底之后，還包括：在所述互連層遠離所述塑封層的表面形成第二保持層。

11.根據權利要求9或10所述的晶圓級QFN封裝方法，其特征在于，所述第一保持層和所述第二保持層的材料包括：鎳、金、錫、銀中的一種或多種組合。

12.根據權利要求9或10所述的晶圓級QFN封裝方法，其特征在于，形成所述第一保持層和所述第二保持層的工藝包括：化學鍍或電鍍。

13.根據權利要求1所述的晶圓級QFN封裝方法，其特征在于，所述塑封層的材料包括：絕緣樹脂、絕緣保護膠或環氧塑封料。

14.根據權利要求1所述的晶圓級QFN封裝方法，其特征在于，所述第一連接層為多個且相互隔離，所述芯片為多個，每個所述第一連接層對應連接一個所述第一襯墊，所述塑封層覆蓋多個所述芯片和與每個所述第一襯墊連接的所述第一連接層；

去除所述臨時襯底之后，還包括：通過切割工藝，形成獨立的封裝器件，所述封裝器件包括至少一個所述芯片和對應連接的所述第一連接層。